| 摘要 |
본 발명은 소비 전력을 억제할 수 있는 신호 처리 회로를 제공하기 위한 것으로, 기억 소자에 전원 전압이 공급되지 않는 동안에는, 휘발성의 메모리에 상당하는 제1 기억 회로에 기억되어 있던 데이터를, 제2 기억 회로에 설치된 제1 용량 소자에 의해 유지한다. 산화물 반도체층에 채널이 형성되는 트랜지스터를 이용함으로써, 제1 용량 소자에 유지된 신호는 장기간에 걸쳐서 유지된다. 이렇게 해서, 기억 소자는 전원 전압의 공급이 정지한 동안에도 기억 내용(데이터)을 유지하는 것이 가능하다. 또한, 제1 용량 소자에 의해 유지된 신호를, 제2 트랜지스터의 상태(온 상태, 또는 오프 상태)로 변환하고, 제2 기억 회로로부터 읽어내기 위해서, 원래의 신호를 정확하게 읽어내는 것이 가능하다. |
