| 主权项 |
1. 一种防护环,用于环绕在一熔丝连接之半导体积体电路装置,该熔丝连接包含:一半导体基质,其系具有半导体装置;一第一绝缘层于该基质之上;一熔丝连接于该第一绝缘层之上;一第二绝缘层于该熔丝连接与该第一绝缘层之上方;第一分裂开之环状开口,其系通过该第一绝缘层与该第二绝缘层,该等分裂开之环状开口之每一个系位于该熔丝连接之相对侧上,且将该基质露出于外;一第一金属层与该基质相接触,通过该第一分裂开之环状开口;一第三绝缘层覆盖于该第一金属层与该第二绝缘层之上;一第一窗开口于该在该熔丝连接上方之该第三绝缘层中;一第二环状开口,其系围绕该可熔断连接,通过该第三绝缘层,且在该第等一分裂开之环状开口之上方;一第二环状金属层,其系与该第一金属层相接于该第二环状开口;以及一第四绝缘层于该第二金属层与该第三绝缘层之上方,具有一第二窗开口于该第一窗开口之上方。2. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中在该防护环覆盖于该熔丝之区域中,该第一金属层系覆盖于该第二绝缘层之上。3. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中该第一绝缘层系为氧化矽,具有一范围在2000至8000埃之间之厚度。4. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中该第二绝缘层系为一硼磷矽酸酯磷矽酸酯玻璃,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。5. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中该第三绝缘层系为一复合层,系由氧化矽、旋施玻璃,与氧化矽所组成,具有一范围在1000至20,000埃之间之整体之厚度。6. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中该第四绝缘层系为氮化矽,具有一范围在3000至20,000埃之间之厚度。7. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中该第一金属层系为一包括选自以下之一群金属:铝、铝合金、钛、钛合金、钨,以及钨合金,具有一范围在2000至15,000埃之间之厚度。8. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中该第二金属层系为一包括选自以下之一群金属:、钛、Ti合金、铝、铝合金、钨,以及钨合金,具有一范围在4000至15,000埃之间之厚度。9. 如申请专利范围第1项中所述之防护环,其中该等分裂开之环状开口具有一范围在0.3至10微米之间之宽度。10. 一种制造一用于环绕在一半导体基质上之一可熔断连接装置周围之防护环,包含:形成一第一绝缘层于该基质之部分之上,其系具有第一分裂开之环状开口,以将该基质表面露出于外;形成一熔丝连接于该第一绝缘层之上;形成一第二绝缘层于该熔丝连接与该第一绝缘层之上方;形成一第二分裂开之环状开口于该第二层中,于该等第一分裂开之环状开口之上方;形成一第一金属层于该等第一与第二开口中,且与该基质表面相接触;形成一第三绝缘层覆盖于该第一金属层与该第二绝缘层之上;形成一环状开口于该环绕在该可熔断连接之该第三绝缘层中,且将该第一金属层露出于外;形成一第二环状金属层于该第二开口,且与该第一金属层相接触;以及形成一第四绝缘层覆盖于该第三绝缘层之上方,且形成一窗开口于该熔丝之上方。11. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中在该防护环覆盖于该熔丝之区域,该第一金属层系形成覆盖于该第二绝缘层之上。12. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中在该第一绝缘层系由氧化矽所形成,具有一范围在2000至8000埃之间之厚度。13. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中该第二绝缘层系由一硼磷矽酸酯玻璃所形成,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。14. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中该第三绝缘层系由一复合层所形成,系由氧化矽、旋施玻璃,与氧化矽所组成,具有一范围在1000至20,000埃之间之整体之厚度。15. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中该第四绝缘层系由氮化矽所形成,具有一范围在3000至20,000埃之间之厚度。16. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中该第一金属层系由一包括选自以下之一群金属所形成:钛、Ti合金、铝、铝合金、钨,以及钨合金,具有一范围在2000至15,000埃之间之厚度。17. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中该第二金属层系由一包括选自以下之一群金属所形成:钛、Ti合金、铝、铝合金、钨,以及钨合金,具有一范围在4000至15,000埃之间之厚度。18. 如申请专利范围第10项中所述之方法,其中该分裂开之环状开口具有一范围在0.3至10微米之间之宽度。19. 一种防护环,用于环绕在绝缘层中之一窗开口之半导体积体电路装置,包含:形成一第一绝缘层于该基质之部分之上,其系具有第一分裂开之环状开口,以将该基质表面露出于外;一半导体基质,其系具有半导体装置;一第一绝缘层于该基质之上;一第二绝缘层于该第一绝缘层之上方;第一环状开口,其系通过该第一绝缘层与该第二绝缘层,一第一金属层与该基质相接触,通过该环状开口;一第三绝缘层覆盖于该第一金属层之部分与该第二绝缘层之上;一第一窗开口于在该熔丝连接上方之该第三绝缘层中;一第二环状开口,其系围绕该可熔断连接,通过该第三绝缘层,且在该第等一环状开口之上方;一第二环状金属层,其系与该第一金属层相接于该第二环状开口;一第四绝缘层于该第二金属层与该第三绝缘层之上方,以及一第二窗开口于该第一窗开口之上方,在该第四绝缘层中。20. 如申请专利范围第19项中所述之防护环,其中该第一窗系环绕于该等雷射修整对准记号。21. 如申请专利范围第19项中所述之防护环,其中在该第一绝缘层系为氧化矽,具有一范围在2000至8000埃之间之厚度。22. 如申请专利范围第19项中所述之防护环,其中该第二绝缘层系为硼磷矽酸酯玻璃,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。23. 如申请专利范围第19项中所述之防护环,其中该第三绝缘层系为一复合层,系由氧化矽、旋施玻璃,与氧化矽所组成,具有一范围在1000至20,000埃之间之整体之厚度。24. 如申请专利范围第19项中所述之防护环,其中该第四绝缘层系为氮化矽,具有一范围在3000至20,000埃之间之厚度。25. 如申请专利范围第19项中所述之防护环,其中该第一金属层系由一包括选自以下之一群金属所形成:钛、Ti合金、铝、铝合金、钨,以及钨合金,具有一范围在2000至15,000埃之间之厚度。26. 如申请专利范围第19项中所述之防护环,其中该第二金属层系由一包括选自以下之一群金属所形成:钛、Ti合金、铝、铝合金、钨,以及钨合金,具有一范围在4000至15,000埃之间之厚度。27. 如申请专利范围第19项中所述之方法,其中该等分裂开之环状开口具有一范围在0.3至10微米之间之宽度。28. 一种制造一环绕在一半导体基质上之绝缘层中之窗开口之防护环,包含:形成一第一绝缘层于该基质之部分之上,其系具有第一环状开口,以将该基质表面露出于外;形成一第二绝缘层于该第一绝缘层之上方;形成一第二环状开口于该第二层中,于该等第一环状开口之上方;形成一第一金属层于该等第一与第二开口中,且与该基质表面相接触;形成一第三绝缘层覆盖于该第一金属层与该第二绝缘层之上;形成一环状开口于该第三绝缘层中,其系将该第一金属层露出于外;形成一第二环状金属层于该第二开口中,且与该第一金属层相接触;且形成一第四绝缘层覆盖于该第三绝缘层之上方,以及形成一窗开口于一最少的第四绝缘层上方。29. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中该等雷射修整对准记号系形成于该窗开口之内。30. 如申请专利范围第29项中所述之方法,其中该等雷射修整对准记号系由该第二金属层所形成。31. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中在该第一绝缘层系由氧化矽所形成,具有一范围在2000至8000埃之间之厚度。32. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中该第二绝缘层系由一硼磷矽酸酯玻璃所形成,具有一范围在3000至15,000埃之间之厚度。33. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中该第三绝缘层系由一复合层所形成,系由氧化矽、旋施玻璃,与氧化矽所组成,具有一范围在1000至20,000埃之间之整体之厚度。34. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中该第四绝缘层系由氮化矽所形成,具有一范围在3000至20,000埃之间之厚度。35. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中该第一金属层系由一包括选自以下之一群金属所形成:钛、Ti合金、铝、铝合金、钨,以及钨合金,具有一范围在2000至15,000埃之间之厚度。36. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中该第二金属层系由一包括选自以下之一群金属所形成:钛、Ti合金、铝、铝合金、钨,以及钨合金,具有一范围在4000至15,000埃之间之厚度。37. 如申请专利范围第28项中所述之方法,其中该等第一与第二环状开口之每一个具有一范围在0.3至10微米之间之宽度。图示简单说明:图一为一放大相当大倍数之俯视平面图,显示依照前技之制程形成一可熔断连接、熔丝窗以及邻接之半导体装置。图二为一放大相当大倍数之平面断面视图,显示一依照前技之制程形成一可熔断连接、熔丝窗,与邻接之半导体装置。图三为一沿着图二中之轴线3之剖面图,系为一断面视图,且被放大相当大之倍数,显示一依照前技之形成一熔丝之制程。图四A为一放大相当大倍数之俯视平面图,显示用于依照前技之制程形成一对准记号之制程。图四B为一沿着图四A中之轴线4B之断面图,系被放大相当大之倍数,显示用于依照前技之制程形成一对准记号之靠程。图五为一本发明之防护环之俯视平面图,其系环绕住位于一窗开口中之一熔丝连接。图六为一沿着图五中之线6所取之断面图,系为本发明之该防护环。图七为一沿着图五中之线7所取之断面图,系为本发明之该防护环。图八为一本发明之防护环之俯视平面图,其系环绕住位于一窗开口中之一雷射对准记号。图九为一沿着图八中之线9所取之断面图,系为本发明之 |
