| 发明名称 | 高电流注入机台监控方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高电流注入机台监控方法，包括：在裸晶上形成一层氧化层；量测氧化层的膜厚；判断膜厚的均匀性是否满足预定要求；如果膜厚的均匀性满足预定要求，则利用高电流注入机台对裸晶执行高电流注入工艺；在高电流注入工艺完成之后对裸晶进行N<sub>2</sub>退火；测量裸晶的方块电阻值。 | ||
| 申请公布号 | CN105810613A | 申请公布日期 | 2016.07.27 |
| 申请号 | CN201610173716.0 | 申请日期 | 2016.03.24 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 谭秀文;赖朝荣;王智;苏俊铭 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种高电流注入机台监控方法，其特征在于包括：在裸晶上形成一层氧化层；量测氧化层的膜厚；判断膜厚的均匀性是否满足预定要求；如果膜厚的均匀性满足预定要求，则利用高电流注入机台对裸晶执行高电流注入工艺；在高电流注入工艺完成之后对裸晶进行N<sub>2</sub>退火；测量裸晶的方块电阻值。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||