用于产生可控半导体元件的方法

摘要

本发明公开的是一种用于产生可控半导体元件的方法。在具有顶侧和底侧的半导体本体中，在共同的蚀刻过程中形成从顶侧突出到半导体本体中的第一沟槽和从顶侧突出到半导体本体中的第二沟槽。第一沟槽具有第一宽度，且第二沟槽具有大于第一宽度的第二宽度。然后，在共同的过程中，将氧化物层形成在第一沟槽和第二沟槽中，使得氧化物层填充第一沟槽，并使第二沟槽的表面电绝缘。随后，从第一沟槽完全或至少部分地去除氧化物层，使得半导体本体包括布置于第一沟槽中的暴露的第一表面区域。

主权项

一种用于产生可控半导体元件的方法，所述方法包括：提供具有顶侧和底侧的半导体本体；在共同的蚀刻过程中，形成从所述顶侧突出到所述半导体本体中的第一沟槽和从所述顶侧突出到所述半导体本体中的第二沟槽，所述第一沟槽包括第一宽度和第一深度，并且所述第二沟槽包括大于所述第一宽度的第二宽度和大于所述第一深度的第二深度；在共同的过程中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成氧化物层，使得所述氧化物层填充所述第一沟槽，并且使所述第二沟槽的表面电绝缘；以及从所述第一沟槽完全或至少部分地去除所述氧化物层，使得所述半导体本体包括布置于所述第一沟槽中的暴露的第一表面区域。