| 发明名称 | 一种高压超结终端结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高压超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N‑,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SIPOS场板的终端表面结构，所述超结区和终端表面结构之间有一层P‑层，所述终端表面结构由下到上依次淀积有高阻SIPOS层、SiO<sub>2</sub>层、低阻SIPOS层、金属场板和掺氮SIPOS层，所述终端表面结构也可以由下到上依次淀积高阻SIPOS层、SiO<sub>2</sub>层、金属场板和掺氮SIPOS层，并在末端采用沟槽截止。本发明提供的一种高压超结终端结构能够耐高压，提高终端可靠性，减小漏电流，可以应用于大功率器件（IGBT，VDMOS等）的终端制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103681780B | 申请公布日期 | 2016.08.17 |
| 申请号 | CN201210345440.1 | 申请日期 | 2012.09.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王波;朱阳军;胡爱斌;卢烁今 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人 | 刘丽君 |
| 主权项 | 一种超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N‑,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SIPOS场板的终端表面结构，所述超结区和终端表面结构之间有一层P‑层，其特征在于：所述终端表面结构由下到上依次淀积有高阻SIPOS层、SiO<sub>2</sub>层、低阻SIPOS层、金属场板和掺氮SIPOS层，所述高阻SIPOS层中的含氧量为20％‑35％，所述低阻SIPOS层中的含氧量为5％‑20％。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||