一种利用TiO₂纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法

摘要

本发明提出了一种利用TiO₂纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，包括以下步骤：1)将纯钛片制成圆片，依次用丙酮、去离子水清洗钛片；2)以氟化铵水溶液为电解液，碳棒为阴极，制备TiO₂纳米管阵列薄膜；3)将制备好的TiO₂纳米管阵列薄膜与钛衬底一起放入MOCVD中生长GaN；4)用键合技术将制备完电极的GaN晶片键合到导电导热的材料上；5)将键合后的GaN晶片放入超声中振荡，剥离钛衬底，完成倒装，本发明有效结合横向生长外延技术和倒装结构芯片技术，以达到提高GaN基LED电光转换效率的目的。并实现了衬底的重复使用，节约生产成本。

主权项

一种利用TiO₂纳米管阵列薄膜提高LED亮度的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：1)将纯钛片制成圆片，依次用丙酮、去离子水清洗钛片；2)以氟化铵水溶液为电解液，碳棒为阴极，制备TiO₂纳米管阵列薄膜；3)将制备好的TiO₂纳米管阵列薄膜与钛衬底一起放入MOCVD中生长GaN；4)用键合技术将制备完电极的GaN晶片键合到导电导热的材料上；5)将键合后的GaN晶片放入超声中振荡，剥离钛衬底，完成倒装。