| 主权项 |
1. 一种形成半导体元件之储存电荷电极的方法,其步骤系包含:在一面具有接面区的矽基板上形成一层绝缘膜;蚀刻该绝缘膜,使该接面区暴露出来,形成一接触窗;在形成该接触窗后所得的结构上,连续沈积一层复晶矽膜、一层第一障蔽金属膜、和一层第一铂膜;连续制定该第一铂膜、第一障蔽金属膜、和复晶矽膜的图案;在制定图案制程后所得的结构上,连续沈积一层第二障蔽金属膜和一层第二铂膜;连续全面性蚀刻该第二铂膜和第二障蔽金属膜,在该复晶矽膜的侧壁留下空间子;以及均向性地蚀刻该第二障蔽金属膜暴露出来的区域,而在该第一铂膜的两侧壁上以及该第铂膜空间子底下形成沟槽。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该复晶矽膜在沈积时同时进行磷的掺杂。3. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一障蔽金属膜是由钛和钽其中至少一种材料形成的。4. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二障蔽金属膜是由钛和钽其中至少一种材料形成的。5. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二障蔽金属膜暴露出来的区域是由酸性水溶液蚀刻的。6. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二障蔽金属膜暴露出来的区域是由硷性水溶液蚀刻的。7. 根据申请专利范围第1项之方法,另外并包含步骤:在沈积该第二障蔽金属膜之前,先进行氩溅镀。8. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二障蔽金属膜在该均向性蚀刻步骤中约蚀去500埃的厚度。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一与第二障蔽金属膜沈积厚度约为100至300埃。10. 一种形成半导体元件之储存电荷电极的方法,其步骤系包含:在一面具有接面区的矽基板上形成一层绝缘膜;蚀刻该绝缘膜,使该接触面区暴露出来,形成一接触窗;在形成该接窗后所得的结构上,连续沈积一层复晶矽膜、一层第一障蔽金属膜、和一层第一铂膜;连续制定该第一铂膜、第一障蔽金属膜和复晶矽膜的图案;在制定图案制程后所得的结构上,继续沈积一层第二障蔽金属膜和一层二铂膜;继续全面性蚀刻该第二铂膜和第二障蔽金属膜,形成空间子;以及均向性地蚀刻该第二障蔽金属膜暴露出来的区域。11. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该复晶矽膜在沈积时同时进行磷的掺杂。12. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该第一障蔽金属膜是由钛和钽其中至少一种材料形成的。13. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该第二障蔽金属膜是由钛和钽其中至少一种材料形成的。14. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该第二障蔽金属膜暴露出来的区域是由酸性水溶液蚀刻的。15.根据申请专利范围第10项之方法,其中该第二障蔽金属膜暴露出来的区域是由硷性水溶液蚀刻的。16.根据申请专利范围第10项之方法,另外并包含步骤:在沈积该第二障蔽金属膜之前,先进行氩溅镀。17.根据申请专利范围第10项之方法,其中该第二障蔽金属膜在该均向性蚀刻步骤中约蚀去500埃的厚度。18. 根据申请专利范围第10项之方法,其中该第一与第二障蔽金属膜沈积厚度约为100至300埃。图示简单说明:图1的元件横剖面图说明习知技艺中制造储存电荷电极的方法。图2A至图2F的元件横剖面图说明本发明之制造元件的储存 |
