发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT NOTAMMENT POUR L'OPTIQUE, L'ELECTRONIQUE OU L'OPTOELECTRONIQUE ET SUBSTRAT OBTENU PAR CE PROCEDE
摘要 <p><P>L'invention concerne un procédé de fabrication de substrats, notamment pour l'optique, l'électronique ou l'optoélectronique, comportant une opération consistant à détacher (200), d'un substrat source (6), une couche mince (2) d'un matériau, ce procédé étant caractérisé par le fait qu'il comporte en outre une opération consistant à former progressivement, après que la couche mince (2) ait été détachée du substrat source (6), une couche épaisse (4) de matériau sur cette couche mince (2), afin que cette couche épaisse (4) constitue un support pour la couche mince (2).</P></p>
申请公布号 FR2817395(A1) 申请公布日期 2002.05.31
申请号 FR20000015280 申请日期 2000.11.27
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES 发明人 GHYSELEN BRUNO;LETERTRE FABRICE
分类号 H01L27/12;H01L21/02;H01L21/762;H01L29/165;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/267;(IPC1-7):H01L21/328;H01L21/20 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
主权项
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