| 主权项 |
1.一种接触孔形成方法,包括步骤有:提供一基底;依需要于该基底上形成复数个适当的工作层;于该等工作层中最上面一层上形成一导电层;于该导电层上形成一抗反射层;于该抗反射层上形成光阻剂以界定接触孔形成之位置;移除该抗反射层中未被光阻剂覆盖之部分;移除该光阻剂;移除该导电层未被剩下的抗反射层覆盖的部份;以及以剩下之该导电层作为光罩进行蚀刻以形成接触孔。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在移除部分导电层之步骤包含部分移除该导电层未被剩下的抗反射层覆盖的部份以形成凹陷;移除该抗反射层;以及打开该导电层凹陷的部分以形成开口。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该抗反射层对该复晶矽层的蚀刻选择率之差别为大。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该抗反射层之材料包含氮化物。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该抗反射层之材料包含氮氧化矽。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该导电层之材料包含复晶矽。图式简单说明:图1a以及1b系显示依先前技艺之接触孔形成方法之步骤所形成结构之截面示意图;图2系显示先前技艺闸极接触孔的形成中使用聚合物硬式光罩之步骤所形成结构之截面示意图;图3显示图2之闸极接触孔形成之结构截面示意图;以及图4a至4h系显示根据本发明之接触孔形成方法之各步骤所形成结构之截面示意图。 |
