发明名称 |
高介电常数微波介质陶瓷 |
摘要 |
本发明的高介电常数微波介质陶瓷是以BaO、La<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Sm<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>及TiO<SUB>2</SUB>组成的表达式为mBaO.n[(1-y-z)La<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>.ySm<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>.zBi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>].pTiO<SUB>2</SUB>的固溶体微波介质陶瓷,各成分的含量分别是:设BaO的含量为m,La<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的含量为n(1-y-z),Sm<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的含量为ny,Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>的含量为nz,TiO<SUB>2</SUB>的含量为p,13.8摩尔%≤m≤18.0摩尔%,16.0摩尔%≤n≤18.0摩尔%,66.0摩尔%≤p≤68.0摩尔%,0.1≤y≤0.9,0<z≤0.25,m+n+p=100摩尔%。该高介电常数微波介质陶瓷,介电常数为80~110、同时具有低损耗(Qf>5000GHz)与可调的温度系数。该微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应进一步小型化的要求,同时,亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。因此,本发明在工业上有着极大的价值。 |
申请公布号 |
CN1190391C |
申请公布日期 |
2005.02.23 |
申请号 |
CN02150924.7 |
申请日期 |
2002.11.28 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
陈湘明;秦霓 |
分类号 |
C04B35/462;C04B35/465;H01B3/12 |
主分类号 |
C04B35/462 |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
韩介梅 |
主权项 |
1.高介电常数微波介质陶瓷,其特征在于它是以BaO、La2O3、Sm2O3、Bi2O3及TiO2组成的表达式为mBaO·n[(1-y-z)La2O3·ySm2O3·zBi2O3]·pTiO2的固溶体微波介质陶瓷,各成分的含量分别是:设BaO的含量为m 13.8摩尔%≤m≤18.0摩尔%,La2O3的含量为n(1-y-z)Sm2O3的含量为nyBi2O3的含量为nz16.0摩尔%≤n≤18.0摩尔%, 0.1≤y≤0.9,0<z≤0.25TiO2的含量为p 66.0摩尔%≤p≤68.0摩尔%,m+n+p=100摩尔%。 |
地址 |
310027浙江省杭州市西湖区玉古路20号 |