一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法

摘要

本发明涉及一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法。该镓铟氧化物薄膜具有通式Ga_2(1－X)In_2XO₃，式中x＝0.1－0.9；随着铟含量x从0.9减少到0.1，该薄膜材料的带隙宽度从3.72增大到4.58eV。采用有机金属化学气相淀积工艺，以三甲基镓[Ga(CH₃)₃]和三甲基铟[In(CH₃)₃]为有机金属源，用氮气作为载气，用氧气作为氧化气体，用有机金属化学气相淀积设备在真空条件下在衬底上500～800℃生长镓铟氧化物薄膜。本发明的镓铟氧化物薄膜材料，由于其带隙宽度大于GaN、In₂O₃和ZnO，适合于用来制造紫外及透明半导体器件。

主权项

1.一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜材料，具有如下通式：Ga2(1-X)In2XO3，式中x为In/(Ga+In)原子比，x＝0.1-0.9；随着铟含量x从0.9减少到0.1，该薄膜材料的带隙宽度从3.72增大到4.58eV，当0.1≤x≤0.2时该薄膜具有β-Ga2O3的结构，当0.2＜x＜0.7薄膜具有混相结构，当0.7≤x≤0.9，薄膜具有立方In2O3的结构。