发明名称 |
具有低有效天线电压的等离子体浸润离子源 |
摘要 |
本发明是有关于一种具有低有效天线电压的等离子体浸润离子源,其包括容纳处理气体的腔体,该腔体设有供电磁辐射穿过的介电窗。射频电源供应器产生射频信号。至少一具有降低的有效天线电压的射频天线连接至射频电源供应器。所述的至少一射频天线位于接近介电窗的位置以使射频信号电磁耦合进入腔体以激发并离子化处理气体,从而在腔体内产生等离子体。 |
申请公布号 |
CN101390187A |
申请公布日期 |
2009.03.18 |
申请号 |
CN200780006845.X |
申请日期 |
2007.01.17 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
哈勒德·M·波辛;维克拉姆·辛;艾德蒙德·杰阔斯·温德 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿 宁 |
主权项 |
1、一种具有低有效天线电压的等离子体浸润离子源,其特征在于其包括:a)腔体,容纳一处理气体,所述的腔体包括供电磁辐射穿过的介电窗;b)射频电源供应器,其于输出端产生射频信号;以及c)至少一射频天线,所述的至少一射频天线的输入端电性连接至射频电源供应器的输出端,所述的至少一射频天线的输出端连接一使有效射频天线电压降低的阻抗,所述的至少一射频天线设置于接近所述的介电窗的位置,以使所述的射频信号电磁耦合进入腔体以激发并离子化所述处理气体,从而于腔体内形成等离子体。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州 |