多孔碳化硅陶瓷及其制备方法

摘要

本发明提出了制备多孔碳化硅陶瓷的方法，包括：将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼，以便得到喂料；将喂料加热至120～160摄氏度进行注射成型，以便得到生坯；将生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；将经过溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结；将经过热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二温度控制程序进行高温烧结，并得到多孔碳化硅陶瓷。利用该方法制备得到的多孔碳化硅陶瓷形状尺寸可控、孔隙率高、孔隙分布均匀且三维连通。

主权项

一种制备多孔碳化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：将碳化硅粉末与复合粘结剂进行混炼，以便得到喂料；将所述喂料加热至120～160摄氏度进行注射成型，以便得到生坯；将所述生坯置入脱脂剂中，在40～60摄氏度下反应12～36小时，以便进行溶剂脱脂；将经过所述溶剂脱脂后的生坯置于马弗炉中，按第一温度控制程序进行热脱脂和预烧结；将经过所述热脱脂和预烧结的生坯置于烧结炉中，在真空或惰性气体条件下，按第二温度控制程序进行高温烧结，并得到所述多孔碳化硅陶瓷。