发明名称 用于中温烧成通花瓷的坯料和中温烧成通花瓷的制备方法
摘要 本发明公开了一种用于中温烧成通花瓷的坯料和中温烧成通花瓷的制备方法,本发明的坯料中加入了合成熔剂,通过多种熔剂成分组合,发挥复合助熔作用,在不增加熔剂用量的情况下,大幅度降低烧成温度;本发明的中温烧成通花瓷的制备步骤包括制备坯料,注浆成型,雕刻通花,捏贴瓷花,施釉,在1250~1280℃氧化气氛烧成,彩绘装饰,在750~800℃烤彩。本发明通过对合成熔剂、坯料和釉料等配方的试验研究,大幅度降低通花瓷的烧成温度,将通花瓷进行1250℃的中温氧化烧成,使所有的中温色剂都能稳定呈色,大大丰富了通花瓷的色彩,外观更加靓丽,且烧成温度低,烧成周期短。本发明既节能降耗,又提高了产品的质量档次。
申请公布号 CN104193301B 申请公布日期 2016.08.17
申请号 CN201310546477.5 申请日期 2013.11.07
申请人 韩山师范学院 发明人 邱伟志;黄玉銮
分类号 C04B33/22(2006.01)I;C04B33/24(2006.01)I 主分类号 C04B33/22(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人 张全文
主权项 一种用于中温烧成通花瓷坯料的合成熔剂,其特征在于:包含以下质量份数的化学成分:SiO<sub>2 </sub>62~68份、B<sub>2</sub>O<sub>3 </sub>10~16份、Al<sub>2</sub>O<sub>3 </sub>5~9份、CaO 2~4份、Na<sub>2</sub>O 4~6份、Li<sub>2</sub>O 2~4份、ZrO<sub>2 </sub>2~4份、Co<sub>3</sub>O<sub>4 </sub>0.1~0.3份。
地址 521000 广东省潮州市湘桥区桥东