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Verfahren zum Herstellen eines Isolator-Dünnfilms (102) auf einem Substrat (100), mit den Schritten: – einem ersten Schritt zum Herstellen einer Silicium-Atomschicht auf dem Substrat und einer Sauerstoff-Atomschicht auf dieser; und – einem zweiten Schritt zum Herstellen einer Metall-Atomschicht auf dem Substrat und einer Sauerstoff-Atomschicht auf dieser; – wobei alle Schichten durch einen Atomschicht-Abscheidungsprozess hergestellt werden und der Isolator-Dünnfilm (102) einen Gradienten der Konzentration von Metallatomen aufweist, wobei die Konzentration der Metallatome im Isolator-Dünnfilm (102) dadurch kontrolliert wird, dass die Anzahl der Ausführungen des ersten und des zweiten Schritts kontrolliert wird, und dem Isolator-Dünnfilm (102) Stickstoff zugesetzt wird, wobei der Stickstoff durch ein Plasma in einer Stickstoff enthaltenden Atmosphäre zugeführt wird und das Plasma durch elektrische Entladung unter Verwendung einer gepulsten Spannungsquelle erzeugt wird. |
