DEPOT D'ISOLANT UTILISANT UN FAISCEAU D'IONS FOCALISE

摘要

Des procédés et des appareils sont proposés pour déposer un matériau isolant dans une zone prédéfinie d'un circuit intégré. Des molécules d'un composé contenant des atomes de silicium et des atomes d'oxygène sont mélangées à un gaz réactif et injectées dans la région de la surface du circuit intégré devant être traité, tandis qu'un faisceau d'ions focalisé est dirigé vers cette région. Le matériau qui en résulte et qui est déposé sélectivement dans des régions localisées de la surface du circuit intégré, présente une résistivité élevée. Le dépôt d'isolant est utile lors de la réparation d'un circuit intégré à semi-conducteur à l'aide d'un faisceau de particules chargées tel qu'un faisceau d'ions focalisé, ce qui permet d'effectuer certains types de réparations et de minimiser le temps de réparation. A titre d'exemple, un système à FIF est mis en oeuvre conformément à l'invention pour déposer une couche d'isolant au-dessus d'une ligne métallique exposée quelconque, afin de protéger la ligne métallique d'un court-circuit avec d'autres lignes métalliques et de permettre une opération de réparation supplémentaire par FIF.