| 主权项 |
1. 一种半导体装置之制造方法,系用以热处理配置在热壁型加热炉内之一张或多数张晶片者;其特征在于:预先将相向蓄热板加热成热处理温度;其后,使一张或相向之两张晶片,在前述蓄热板之至少一部分之相向面间,以该晶片之单面的实质全面,与该蓄热板相向,藉此用前述热处理温度来热处理。2. 一种半导体装置之制造方法,系备用以热处理配置在热壁型加热炉内之一张或多数张晶片者;其特征在于:预先将蓄热板加热成热处理温度;接着,使各晶片之单面实质上全面地接触于前述蓄热板,或者配置在蓄热板之极近附近,藉此以前述热处理温度来热处理。3. 依据申请专利范围第2项所述之半导体装置之制造方法,其特征在于:使具有前述热处理温度之反应气体,从形成在前述蓄热板之气体流出孔向配置在前述极近附近之晶片均匀地流出。4. 一种半导体装置之制造方法,系用以热处理配置在备有加热器之热壁型加热炉内之一张或多数张之晶片者;其特征在于:将晶片配置在前述加热器之极近附近,藉此以前述处理温度来热处理。5. 依据申请专利范围第1,2,3或4项之半导体之制造方法,其特征在于:将前述晶片一旦保持在备有低温度领域及高温度领域的热壁型加热炉之低温度领域,其后将前述晶片移动至前述高温度领域以进行前进热处理。6. 一种半导体装置之制造装置,系备有一在热壁型加热炉内使一张或多数张晶片移动至热处理领域之保持具者;其特征在于:将以可供一张或相向之二张晶片取送之间隔相向的蓄热板,设在热处理领域;且,将前述晶片之各个作成可藉前述保持具装入蓄热板之间。7. 一种半导体装置之制造装置,系备有一在热壁型加热炉内使一张或多数张之晶片移动至热处理领域之保持具者;其特征在于:将蓄热板设在热处理领域之同时,将前述保持具作成可移动至,前述晶片之单面实质地以全面接触于前述蓄热板,或者可移动至,前述晶片保持在蓄热板之极近附近为止。8. 一种半导体装置之制造装置,系备有一在具有加热器之热壁型加热炉内使一张或多张之晶片移动至热处理领域之保持具者;其特征在于:将前述加热器之一部分排列在,沿前述保持具之移动方向备有垂直面之方向;且将前述保持具作成可使晶片之单面实质上全面地移动至前述加热器之极近附近。9.依据申请专利范围第6,7或8项所述之半导体装置之制造装置,其中前述热壁型加热炉具有一用来进行热处理之高温领域,及一用来一旦保持晶片之低温领域。图示简单说明:第1图系将晶片低温加热的纵型加热炉及本发明第一方法之实施例图;第2图系从晶片面侧投视第1图之纵型加热炉之图;第3图系于第2图之装置中显示蓄热板之平面图;第4图系显示将晶片低温加热,并省略蓄热板之图示的横型加热炉及本发明第一方法之实施例图;第5图系从蓄热板上方投视晶片被高温加热的横型加热炉之平面图,及本发明第一方法之实施例图;第6图系晶片向蓄热板移动中之纵型加热炉之概念图,及本发明第二方法及装置之实施例图;第7图系晶片向蓄热板下降中之横型加热炉之概念图,及本发明第二方法及装置之实施例图;第8图系第7图之高温部断面图;第9图系显示在蓄热板之极近附近高温加热晶片之横型加热炉,并显示本发明第二方法之其他实施例图;第10图系与第7图同一之图;第11图系形成有气体流出孔之蓄热板图;第12图系显示纵型之热壁纵型加热炉之上部,并显示本发明第三方法之实施例图;及第13图系一模式图,用以说明藉助来自加热器之辐射热之 |
