发明名称 磁放大器直接控制的可控硅整流装置
摘要 本实用新型属于电气控制技术领域,尤其是涉及一种磁放大器直接控制的可控硅整流装置,它主要由输入端、输出端,可控硅主电路和磁放大器组成。其特征是输入端与输出端之间串接有可控硅元件,磁放大器中交流绕组的两端分别与输入端和可控硅门极支路相接,磁放大器中还设有直流控制绕组和反馈绕组。它克服了传统电气控制装置结构复杂材料消耗大、使用与维修麻烦的缺陷,具有结构简单、可靠性高、应用范围广等优点。
申请公布号 CN2145475Y 申请公布日期 1993.11.03
申请号 CN92240845.9 申请日期 1992.11.18
申请人 章兆民 发明人 章兆民
分类号 H02M5/257 主分类号 H02M5/257
代理机构 浙江省专利事务所 代理人 陈向群
主权项 1、一种磁放大器直接控制的可控硅整流装置,它包括输入接线端(3)、(4)、输出接线端(5)、(6)、可控硅主电路(1)和磁放大器(2),其特征在于输入接线端(4)与输出接线端(6)之间串接有可控硅SCR,磁放大器(2)交流绕组(N1)、(N2)的端子(①)、(③)分别与输入接线端(4)和可控硅SCR门极支路相接,磁放大器(2)中还设有直流控制绕组(N3)和反馈绕组(N4)。
地址 310012浙江省杭州市教工路九号2-2-302室