发明名称 |
射频化学气相沉积法合成β-C<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>超硬薄膜材料 |
摘要 |
本发明公开了一种新的射频化学气相沉积法合成β-C<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>超硬薄膜材料的方法。它是采用乙炔气和氮气为气源,采用RF-CVD方法合成超硬材料、晶体氮化碳薄膜,具有较高的显微硬度、耐腐蚀和耐氧化性能,是一高效、低成本合成优质氮化碳薄膜的方法,可以在各种材料、各种形状工件、较大尺寸工件上形成氮化碳薄膜。 |
申请公布号 |
CN1132799A |
申请公布日期 |
1996.10.09 |
申请号 |
CN95119074.1 |
申请日期 |
1995.12.13 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
范湘军;吴大雄;郭怀喜;彭友贵 |
分类号 |
C23C16/36;C23C16/50 |
主分类号 |
C23C16/36 |
代理机构 |
武汉大学专利事务所 |
代理人 |
余鼎章 |
主权项 |
1.一种新型射频化学气相沉积法合成β-C3N4超硬薄膜技术,其特征在于:采用按一定比例的乙炔气和氮气为原料,工件置于真空室内的射频电极上,在一定温度、真空度下,在射频电场作用下辉光放电而离子化成等离子体,碳和氮离子发生化学反应沉积生成氮化碳,再经原位退火,形成超硬氮化碳晶体化薄膜材料; |
地址 |
430072湖北省武汉市珞珈山 |