| 发明名称 | 抛光方法 | ||
| 摘要 | 提供一种抛光方法，不会导致制造成本的增加，可有效地抑制低介电常数膜的介电常数的上升。该抛光方法如下：将具有通过绝缘膜形成的抗蚀剂掩膜的衬底保持在抛光装置的室内，施加RF功率，使导入室内的含氧的气体活化，同时向所述衬底侧施加RF功率，进行所述抗蚀剂掩膜的抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN1172355C | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN01130249.6 | 申请日期 | 2001.11.15 |
| 申请人 | 夏普公司 | 发明人 | 西田贵信 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郑立柱;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种抛光方法，其特征在于包括下列步骤：将通过绝缘膜形成的具有抗蚀剂掩膜的衬底保持在抛光装置的室内；施加RF功率，使导入室内的含氧气体活化，以便对所述抗蚀剂掩膜进行抛光，同时，对所述衬底施加RF功率。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||