应变半导体覆绝缘层型基底的制造方法

摘要

本发明提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构及其制造方法。首先提供一标的晶圆和一施体晶圆，施体晶圆包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶圆黏着标的晶圆的表面后，将应变半导体层自施体晶圆分离，使应变硅层黏结至标的晶圆。

主权项

1.一种应变半导体覆绝缘层型基底的制造方法，包括：提供一主体半导体基底，该主体半导体基底具有一晶格常数不同于硅的晶格常数；在该主体半导体基底上形成一应变硅层，以形成一施体晶圆，该施体晶圆具有一上表面；植入一离子至该施体晶圆的该主体半导体基底内，以形成一植入层；提供一标的晶圆，该标的晶圆包括一基底和位于该基底上的一绝缘层，该绝缘层包括一高应力层，该标的晶圆具有一上表面；将该施体晶圆的该上表面键结至该标的晶圆的该上表面；进行一分离制程，以将该应变硅层自该施体晶圆分离，该应变硅层黏结至该标的晶圆；以及加强该应变硅层和该标的晶圆之间的键结，其中该应变硅层具有拉伸应变时，该高应力层为一压缩应力层，该压缩应力膜是高硅含量氮化硅膜，而该应变硅层中具有压缩应变时，该高应力层为一拉伸应力层，该压缩应力层是高氮含量的氮化硅膜。