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发明名称
半导体元件及其制造方法
摘要
本发明之目的为提供一个具有高效能及可靠度的半导体元件,其中由封装半导体基板过程中产生的热应力所引起的互连层或导电层的剥离可被抑制,如此可避免电击穿,并提供一个有效率的方法制造该半导体元件。本发明之半导体元件的特征在于具有一个半导体基板,一个互连层,一个第一导电层,一个层间绝缘膜及一个第二导电层。制造本发明之半导体元件的方法之特征在于包含至少形成一个互连层,形成一个第一导电层,形成一个层间绝缘膜及形成一个第二导电层,以便被电气性连接该第一导电层。
申请公布号
TW200737381
申请公布日期
2007.10.01
申请号
TW095129022
申请日期
2006.08.08
申请人
富士通股份有限公司
发明人
斋藤信胜;宇野正;加纳政志;松冈由博
分类号
H01L21/60(2006.01);H01L21/00(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
日本
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