| 主权项 |
1. 一种制造半导体装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘表面上形成半导体层;在该半导体层上形成第一绝缘膜;在该第一绝缘膜上形成闸极;藉由在电解液中施加电流至该闸极,在该闸极之侧表面上形成第一阳极氧化物膜;使用该第一阳极氧化膜作为一罩,蚀刻该第一绝缘膜以薄化或移离该绝缘膜,藉以形成一闸绝缘膜;在该蚀刻之后,移离该第一阳极氧化物膜;及使用该闸极及该闸绝缘膜作为一罩,将N或P型导通的杂质之离子导入一部份的该半导体层,其中至少在具有较高的加速电压及较低的加速电压之两种不同的条件下执行该导入。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中在该导入步骤期间,具有该较高的加速电压之剂量,小于具有该较低的加速电压之剂量。3. 如申请专利范围第1项之方法,进一步包含在该导入步骤之后,以光照射来使该杂质活性化的步骤。4. 如申请专利范围第1项之方法,进一步包含以自动对准方式,将至少氮、氧、碳其中之一的离子导入一部份的该半导体层之步骤。5. 如申请专利范围第1项之方法,进一步包含在该导入步骤之后,移离一部份的该闸绝缘膜之步骤。6. 一种制造半导体装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘表面上形成半导体层,该半导体层包括至少一第一区及一第二区;以一绝缘膜罩住该第一区;在第一加速电压将第一杂质离子主要地导入该半导体层的该第一与第二区的其中之一;及在不同于该第一加速电压的第二加速电压,将第二杂质离子主要地导入该半导体层的另一个第一或第二区。7. 如申请专利范围第6项之方法,其中该第一杂质离子是与该第二杂质离子相同。8. 一种制造半导体装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘表面上形成半导体层;在该半导体层之整个表面上形成一绝缘膜;在该绝缘膜上形成闸极;以一方式将该绝缘膜成型进入一闸绝缘膜,使得该闸绝缘膜延伸超过该闸极之侧边缘,但并没有完全覆盖该半导体层,所以部份的该半导体层露出;及使用该闸极及该闸绝缘层作为一罩,将一导电型式的杂质离子导入该半导体层,其中选定该导入步骤之条件,使得半导体层位在该闸绝缘膜之延伸下方超过该闸极之区域,以第一浓度被添加杂质,而半导体层之露出区域则以不同于该第一浓度之第二浓度被添加杂质。9. 如申请专利范围第8项之方法,其中该半导体层包含矽。10. 如申请专利范围第9项之方法,其中从含有磷与硼之族群来选定该杂质。11. 如申请专利范围第8项之方法,其中藉由使用一罩来成型该绝缘膜,此罩为该闸极之侧表面上所形成的阳极氧化物膜。12. 一种制造半导体装置之方法,包含以下步骤:在一绝缘表面上形成半导体层;在该半导体层之整个表面上形成一绝缘膜;在该绝缘膜上形成闸极;以一方式将该绝缘膜成型进入一闸绝缘膜,使得该闸绝缘膜延伸超过该闸极之侧边缘,但并没有完全覆盖该半导体层,所以部份的该半导体层露出;及使用该闸极及该闸绝缘层作为一罩,以一加速电压将从含有氧、碳、氮之族群中选定出的元素导入该半导体层,其中选定该加速电压,使得该半导体层位在该闸绝缘膜之延伸的下方超过该闸极之区域,主要地被添加该元素,而该元素通过半导体层之露出区域。13. 如申请专利范围第12项之方法,其中藉由使用一罩来成型该绝缘膜,此罩为该闸极之侧表面上所形成的阳极氧化物膜。14. 如申请专利范围第12项之方法,进一步包含以该闸绝缘膜及该闸极作为一罩,在导入该元素之前或之后,导入一导通杂质的步骤。15. 一种制造半导体积体电路之方法,包含以下步骤:制备具有绝缘表面之基体,此绝缘表面具有一主动矩阵电路区域及一周边电路区域;在基体之该周边电路区域上形成第一半导体层;藉由照射光使该第一半导体层结晶;在至少一部份的该第一半导体层上,形成第一闸绝缘膜;形成至少第一闸极于该闸绝缘膜上,及第二闸极于该主动矩阵电路区域上;在该第二闸极上形成第二闸绝缘膜;在该第二闸绝缘膜上形成第二半导体层;其中该第二半导体层为非晶,且在形成该第二半导体层之前,执行该结晶步骤。16. 如申请专利范围第15项之方法,其中该第二闸绝缘膜延伸,以覆盖基体之该周边电路区域,作为中间层绝缘膜。17. 如申请专利范围第15项之方法,进一步包含以该第一闸极作为一罩,将一导通型式的杂质导入一部份的该第一半导体层之步骤。图示简单说明:图1A至1F为剖面图,指出依据本发明之例子1的绝缘闸极场效电晶体的制造方法;图2A至2F为剖面图,指出依据本发明之例子2的绝缘闸极场效电晶体的制造方法;图3A至3F为剖面图,指出依据习知技术之绝缘闸极场效电晶体的制造方法;图4A至4D为图形,指出依据本发明于离子掺杂期间,加速电压随时间之变化;图5A至5K为剖面图,指出依据本发明之例子3的绝缘闸极场效电晶体之制造方法;图6A至6F为剖面图,指出依据本发明之例子4的绝缘闸极场效电晶体之制造方法;及图7为一方块图,指出一单片积体电路形成在一基体上之 |
