| 发明名称 | 一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体晶圆制造工艺中一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法。其具体步骤为：晶圆经过光阻清洗液处理后，用含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液进行清洗，之后甩干。该水溶性金属缓蚀剂可为聚羧酸类金属缓蚀剂。本发明方法利用金属保护液，在清洗步骤中阻止了等离子体电浆刻蚀过程中和环境中产生的中卤离子，氧气，溴离子，氢氧根离子，H离子等对刻蚀后的金属腐蚀。该方法从根本上解决了半导体晶圆制造工艺中，蚀刻灰化后清洗过程中的金属腐蚀问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101162684A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200610117137.0 | 申请日期 | 2006.10.13 |
| 申请人 | 安集微电子（上海）有限公司 | 发明人 | 彭洪修;王胜利;杨春晓 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/306(2006.01);B08B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人 | 李佳铭 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：用含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后甩干。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613－618室 | ||