闪存器件的平坦化方法

摘要

一种闪存器件的平坦化方法，于基底上先形成一层穿隧氧化层，再于穿隧氧化层上形成一浮栅极，并于浮栅极上形成一顶盖层，其中穿隧氧化层、浮栅极以及顶盖层组成一堆栈结构。然后，假使顶盖层是氮化层，则需在堆栈结构上先沉积一层氧化层，再于基底上形成一高密度等离子体磷硅玻璃；如果顶盖层是氧化层，则直接于基底上形成一高密度等离子体氮化层，以覆盖堆栈结构。接着，去除部分高密度等离子体层，以暴露出顶盖层的顶边。最后，去除顶盖层，而位于顶盖层上的部分沉积层也会同时被去除。

主权项

1、一种闪存器件的平坦化方法，其特征在于：包括：于一基底上形成一穿隧氧化层；于该穿隧氧化层上形成一浮栅极；于该浮栅极上形成一氧化层，其中该穿隧氧化层、该浮栅极以及该氧化层组成一堆栈结构；于该基底上形成一高密度等离子体氮化层，以覆盖该堆栈结构；去除部分该高密度等离子体氮化层，以暴露出该氧化层的顶边；去除该氧化层，其中位于该氧化层上的部分该高密度等离子体氮化层被同时去除。