| 摘要 |
<p>Procédé pour fabriquer un photodétecteur à semiconducteur, comprenant : une étape de formation de film isolant consistant à former un film isolant (12) sur un semiconducteur (10) ; une étape de formation d'électrode consistant à former une électrode (26) sur et au contact d'une zone prédéterminée d'une surface du semiconducteur (10) ; une étape de formation de réserve de protection de film isolant consistant à former une réserve (30) sur le film isolant (12) après l'étape de formation d'électrode ; une étape de formation de couche d'alimentation électrique consistant à former une couche d'alimentation électrique en métal sur la réserve (30) et l'électrode (26) ; une étape de placage consistant à plaquer un revêtement métallique sur une surface d'une partie de la couche d'alimentation électrique après l'étape de formation de couche d'alimentation électrique, la partie étant au-dessus et au contact de l'électrode (26) ; une étape d'attaque de couche d'alimentation électrique consistant, après l'étape de placage, à éliminer par attaque la couche d'alimentation électrique à l'exception d'une partie qui est couverte par le revêtement métallique et sert de prolongement jusqu'à l'électrode (26) ; et une étape d'élimination de réserve de protection de film isolant consistant à éliminer la réserve après l'étape d'attaque de couche d'alimentation électrique.</p> |
