| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines mindestens einseitigen offenen Hohlkörpers aus Halbleitermaterial |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
CH508418(A) |
申请公布日期 |
1971.06.15 |
| 申请号 |
CH19700012595 |
申请日期 |
1970.08.24 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
DIETZE,WOLFGANG,DR. |
| 分类号 |
C23C16/44;C23C16/01;C30B29/60;(IPC1-7):B01J17/32;H01L7/00 |
主分类号 |
C23C16/44 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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