| 主权项 |
1. 一种控制结晶器(11)侧壁的形变的方法,这种结晶器(11)被用于金属坯段/金属锭/金属板(24)连续铸造,前述的结晶器(11)连接一模子(10),前述的结晶器(11)在外部配合一箱状结构(13)以产生一冷却室(14)以容纳一种冷却液在其中循环,前述的结晶器(11)在部剖配合正在成形的金属坯段/金属锭/金属板(24)的皮,前述的冷却室(14)容纳一中间壁(20)以产生一条循环通道(21)以配合前述的结晶器(11)的侧壁(12)的外面,前述的结晶器(11)至少包括一上部(37)与一下部(38),前述的结晶器(11)的上部(37)配合液体金属的弧面的附近并配合在液体金属的弧面下的部分,前述的结晶器(11)的下部(38)的起点是正在成形的金属坯段/金属锭/金属板(24)的皮脱离前述的结晶器(11)的侧壁(12)的内面脱离的部分附近,结晶器(11)的下部(38)朝向前述的结晶器(11)的出口延伸,在前述的结晶器(11)的下部(38)中的冷却液的压力是在前述的结晶器(11)的侧壁(12)与正在成形的金属坯段/金属锭/金属板(24)的皮之间的空气间隙(36)的所需的値(g1)的函数,前述的空气间隙(36)的所需的値趋近零値。2. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中有关于前述的结晶器(11)的至少一侧壁(12)的至少一纵向区间,在前述的冷却液循环通道(21)中的冷却液被迫以适当的压力循环以使前述的结晶器(11)的侧壁(12)的纵向区间向前述的结晶器(11)的内侧变形,使前述的结晶器(11)的侧壁(12)的位置回到它在冷却状态中的位置甚至超过它在冷却状态中的位置。3. 如申请专利范围第1项或第2项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中在前述的结晶器(11)的上部(37)内的冷却液的压力适于消除由在前述的结晶器(11)的上部(37)中的热场所造成的前述的结晶器(11)的负渐细。4.如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的结晶器(11)的侧壁(12)的每一纵向区域被前述冷却液的一特定范围的压力定义。5. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中作用在前述的结晶器(11)的一特定纵向区域的前述的冷却液的压力在前述的结晶器(11)的全部侧壁(12)上相等。6. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中作用在前述的结晶器(11)的一特定纵向区域的冷却液的压力至少在前述的结晶器(11)的一特定侧壁(12)上是特定的。7. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的冷却液的压力至少是前述的结晶器(11)的侧壁(12)的厚度的一种函数。8. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的冷却液的压力是铸造速度与/或材料的种类的一种函数。9. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中在每一条循环通道(21)内流动的冷却液的压力的降低是有关于连接前述的循环通道(21)的侧壁(12)的部分的向内的渐细的被要求的修正的一种函数。10.如申请专利范围第9项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中改变这些循环通道(21)的横向宽度与/或几何形状就可调整每一循环通道(21)内流动的冷却液的压力的降低。11. 如申请专利范围第10项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中以一些调整阀(23a、23b、123a、123b)就可调整前述的循环通道(21)的一种被给定的几何形状所用的冷却液的压力的降低。12. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的冷却液是普通水。13. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的冷却液是包含添加剂的水,其温度在-25℃/30℃之间。14. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的冷却液乙二醇或一种物质,其温度在-10℃/-80℃之间。15. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的冷却液是液化气体或液化气体结合一种气体或液体,其温度在-3℃/-270℃之间。16. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的冷却液由普通水所构成,在前述的循环通道(21)的入口的压力在5至20巴之间。17. 如申请专利范围第16项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中在与前述的结晶器(11)的下部(38)相连的冷却室(14.214)内的冷却液的压力在5至20巴之间。18.如申请专利范围第16项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中在与前述的结晶器(11)的下部(38)相连的冷却室(14.214)内的冷却液的压力在3至15巴之间。19.如申请专范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中在前述的结晶器(11)的每一纵向区域内的冷却液的压力被一个资料处理器(18)控制。20. 如申请专利范围第19项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的资料处理器(18)被一些温度测量装置(19.119)控制,这种温度测量装置(19.119)被安排在对应于前述的结晶器(11)的下部(38)区域中。21. 如申请专利范围第1项所述之控制结晶器侧壁的形变的方法,其中前述的结晶器(11)的角(15)被冷却的程度小于前述的结晶器(11)的侧壁(12)被冷却的程度。22.一种金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造所用之结晶器(11),前述的结晶器(11)被连到一模子(10),前述的结晶器(11)在外部配合一箱状结构(13)以产生一冷却室(14)以容纳一种冷却液在其内部循环,前述的结晶器(11)在内部配合正在成形的金属坯段/金属锭/金属板(24)的皮,前述的冷却室(14)容纳一中间壁(20)以产生一条循环通道(21)以配合前述的结晶器(11)的侧壁(12)的外面,前述的结晶器(11)至少包括一上部(37)与一下部(38),前述的结晶器(11)的上部(37)配合至少弧面的附近并配合在前述的弧面下方的部分,前述的结晶器(11)的下部(38)的起点是在正在成形的金属坯段/金属锭/金属板(24)的皮脱离前述的结晶器(11)的侧壁(12)的内面脱离的部分的附近,前述的结晶器(11)的下部(38)向结晶器(11)的出口延伸,在前述的结晶器(11)的下部(38)中的冷却液的压力是前述的结晶器(11)的侧壁(12)与正在成形的金属坯段/金属锭/金属板(24)的皮之间的空气间隙(36)的所需的値(g1)的函数,前述的空气间隙(36)的所需的値趋近零値,前述的结晶器(11)实施各项申请专利范围的方法,结晶器(11)的侧壁(12)的一个纵向部分的厚度在4至15公厘之间,这个厚度有关于在相关的循环通道(21)中的冷却液的进给压力或冷却液的进给压力的范围,在相关的循环道(21)中的冷却液的进给压有关于结晶器(11)的侧壁(12)的所需的向内位移。23. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中一条循环通道(21)环绕前述的结晶器(11)的全部侧壁(12)。24. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中至少有一条特定的循环通道(21)被用来冷却前述的结晶器(11)的至少一面侧壁(12)。25. 如申请专利范围第22.23或24项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造所用之结晶器(11),其中前述的循环通道(21)有一段垂直于前述的结晶器(11)的轴线,这段循环通道(21)的横向长度小于前述的结晶器(11)的侧壁(12)的横向长度,这段循环通道(21)的横向宽度(或全幅)为3公厘。26. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中前述的结晶器(11)的几个角(15)配合前述的结晶器(11)的部分,这部分有被增加的厚度。27. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造所用之结晶器(11)包括一些硬化元件(16)连接前述的结晶器(11)的几个角。28. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中硬化元件(16a、116a)被直接安排在前述的结晶器(11)的侧壁(12)之内。29. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中前述的硬化元件(16b)是一些辅助的外在的元件以配合前述的结晶器(11)的几个角(15)。30. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中前述的结晶器(11)与一些负荷侦测单元(26)相连,这些负荷侦测单元(26)连接前述的资料处理器(18)。31. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中至少前述的结晶器(11)的下部(38)连接温度测量装置(19),这温度测量装置(19)连接前述的资料处理器(18)。32. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中至少前述的温度测量装置(19)被安排在前述的结晶器(11)的出口以测量正从前述的结晶器(11)的出口向外流的金属坯段/金属锭/金属板的温度,这温度测量装置(19)连接前述的资料处理器(18)。33. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中至少在前述的结晶器(11)的一侧的前述的中间壁(20)的部分可被调整而对于前述的结晶器(11)的侧壁(12)移动。34. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中界定前述的循环通道(21)有至少一宽面包括一些扰流元件以扰动前述的冷却液的液流的上层。35. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中前述的结晶器(11)的侧壁(12)的外面与/或前述的中间壁(20)的内面包括一些不平的部分、一些沟或凸起部以增加热交换面积。36. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中前述的结晶器(11)的侧壁(12)的内面被舖上一层衬里,这层衬里由金属碳化物或其化的硬金属的合金所构成。37. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中被用来施加前述的层衬里的方式是等离子体喷雾或超高音波喷雾。38. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造用之结晶器(11),其中前述的资料处理器(18)可控制前述的几个调整阀(23a、23b、123a、123b)以调整在特定的循环通道(21.121.221)内循环的冷却液。39. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造所用之结晶器(11)包括至少一个电磁搅拌器(33.133)连接前述的冷却室(14.114.214)且受控于前述的资料处理器(18)。40. 如申请专利范围第22项所述之金属坯段/金属锭/金属板(24)的连续铸造之结晶器用(11),其中前述的资料处理器(18)控制有关于前述的结晶器(11)的侧壁(12)的相关的部分的中间壁(20)的至少一纵向部分的位置。图示简单说明:图1a是习知技艺的模子的部分纵向剖面视图;图1b是习知技艺的模子的部分剖面视图,以经放大的尺寸呈现习知技艺的结晶器的形变与本发明的结晶器的形变之间的比较。图2a至2f呈现一种硬化元件元件的实施例的一些可能的形式的剖面。图3a呈现使用根据本发明的结晶器且包括单一纵向冷却室的模子的纵向剖面。图3b呈现使用根据本发明的结晶器且包括两个纵向冷却室的模子的纵向剖面。图4a呈现使用根据本发明的结晶器且包括单一纵向冷却室的模子的部分纵向剖面。图4b呈现使用根据本发明的结晶器且包括两个纵向冷却室的模子的部分纵向剖面。 |
