| 发明名称 |
P-CHANNEL INSULATED-GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02206174(A) |
申请公布日期 |
1990.08.15 |
| 申请号 |
JP19890026946 |
申请日期 |
1989.02.06 |
| 申请人 |
FUJI ELECTRIC CO LTD |
发明人 |
HARUKI HIROSHI;IWAMURO NORIYUKI |
| 分类号 |
H01L29/68;H01L21/331;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/68 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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