| 主权项 |
1. 一种分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,包括下列步骤:414. 探查晶板中之图样层里面发生的缺陷处之探索工程;415. 在所述含有图样层之晶板全面,被覆形成感光膜之覆盖感光膜工程;416. 将各该模片,在尚未被个别分离之晶板状态下,自该含有陷处之模片背后,以所指定之位置为中心点,自该模片背面以研磨方式挖开成上面直径大,下面直径小的孔洞之研磨工程;417. 以蚀刻方式,清理尚遗留在上述经研磨部分之矽胶残留物等杂物之蚀刻法清除工程。2. 如申请专利范围第1项之分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,其研磨工程系研磨用平板上铺上柔软布料或清洁纸片,并将该晶板上下颠倒翻转,自该晶片背面施行研磨者。3. 如申请专利范围第1项之分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,其中所述研磨时之中心点,几乎位于邻接缺陷处之位置者。4. 如申请专利范围第1项之分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,其中所述蚀刻去分为二个阶段,粗略蚀刻阶段和精细蚀刻阶段,而分两次施行。5. 如申请专利范围第4项之分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,其系将经冲稀之KOH薄溶液,作为所述粗略蚀刻法使用之溶液者。6. 如申请专利范围第4项之分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,其系采用HF+HNO@ss3+HE@ss3COOH混合液,作为所述精细蚀刻阶段使用之溶液者。7. 如申请专利范围第4项之分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,以其所采用之二种溶液分别为,经冲稀过之KOH薄溶液作为粗略蚀刻法使用之溶液,以及HF+HNO@ss3CH@ss3COOH混合液为精细蚀刻法使用之溶液者。8.一种分析半导体元件缺陷用试验片的制造方法,包含下列各项工程:414. 探查含在晶板中之图样层里面所发生之缺陷处之缺陷探索工程;415. 将该含有图样层之晶片全面,被覆形成感光膜之覆盖感光膜工程;416. 将各该模片,在尚未被个别分离之晶板状态下,自含有缺陷处之该模片背面,以所指定位置为中心点,自该模片背面,以研磨方式挖开成上面直径大,下面之直径小之孔洞的研磨工程;417. 以蚀刻方式,清理尚遗留在上述经过研磨部分之矽胶残留物等杂物之清除工程;(1) 在晶片之背面,除了该模片含有缺陷之处以外,全面覆盖铝箔之铝箔的覆盖工程;(2) 事后清除全面之感光膜的清除工程。图示简单说明:第1图,自(A)至(C),为说明有关本发明之实施例,为分析半导体元件缺陷用试验片制造方法之工程流程图。第2图为依本发明之技术制造之试验片,以电子扫描显微镜所拍摄之照片。第3图系以电子扫描显微镜所拍摄之金属接点部分之照片。第4图,自(A)至(C),为说明依习见技术实施例,分析半 |
