| 主权项 |
1. 一种在结构中产生隔离层之方法,其特征在于下列步骤:-对将予结构化之构层(200)施行各向异性乾式蚀刻步骤,以产生结构(202),-清除结构(202)上之蚀除残留物;并-利用有机矽前置物与臭氧在压力P=0.2至1巴(bar)而温度为200℃至400℃时沉积一层二氧化矽层。2. 由申请专利范围第1项之方法,其中将予结构化之构层(200)为一晶圆。3. 如申请专利范围第1或第2项之方法,其中在清洁步骤中将结构侧壁之蚀刻残留物清除,而改变结构(202)之底面者不予除去。4. 如申请专利范围第1或第2项之方法,其中即将产生之构层(200)为一沟槽或一孔。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中沈积步骤包含使用有机前置物之沉积程序。6. 如申请专利范围第5项之方法,其中沉积程序由O@ss3-TEOS-CVD程序所完成,O@ss3-TEOS-CVD程序则具有下列参数:晶圆式喷气口距离=5-25毫米(氧+臭氧)流率 =1000-10,000sccm(TEOS+氦)流率 = 100- 3,000sccm在氧与臭氧混合物中之臭氧成分:5-20重量图示简单说明:图1为依照现行技术所用方法产生隔离层所需步骤;及 |
