Procédé de fabrication d'un circuit intégré monolithique avec au moins un transistor à effet de champ CMOS et un transistor npn bipolaire.

摘要

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré monolithique, avec au moins un transistor à effet de champ CMOS et un transistor bipolaire npn, dans lequel une mince couche d'oxyde est recouverte avec une couche de polysilicium protectrice à la fois dans la zone du transistor bipolaire et dans la zone du transistor à effet de champ.