发明名称 Procédé de formation d'un motif de photorésist sur la surface d'un substrat et solution de photorésist comprenant un composé oxydant.
摘要 <P>Procédé pour obtenir des motifs de photorésist qui ne sont pas sujets au phénomène d'accumulation de charge. <BR/> Le procédé selon l'invention consiste à déposer sur une surface d'un substrat un film mince d'une solution de photorésist contenant un composé oxydant, chauffer le substrat et le film mince pour obtenir un film densifié de photorésist; former, par insolation du film de photorésist à travers un masque, l'image d'un motif porté par le masque; développer dans le film de photorésist l'image du motif; et faire diffuser dans le motif du photorésist une vapeur d'un monomère réducteur pour former un motif de photorésist copolymérisé conducteur sur le substrat. <BR/> Application à la fabrication des circuits intégrés.</P>
申请公布号 FR2702288(A1) 申请公布日期 1994.09.09
申请号 FR19930002384 申请日期 1993.03.02
申请人 FRANCE TELECOM 发明人 WEILL ANDRE;ROMAND PHILIPPE
分类号 G03F7/20;G03F7/022;G03F7/26;G03F7/30;G03F7/40;(IPC1-7):G03F7/004;H01L21/312 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人
主权项
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