| 主权项 |
1. 一种在半导体元件中形成SOG膜的方法,其步骤系包含:在形成金属图案之后,形成第一层间绝缘膜,并在其上形成第二层间绝缘层,最后在所得的结构上涂布SOG材料;进行第一次回火,形成一层SOG膜;以电浆离子对该SOG膜进行后续处理,并且对该SOG膜进行第二次的回火。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一次回火是在200至400℃的温度下进行的。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该电浆离子是由电浆装置利用NF@ss3气体产生的。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该电浆是在一个同时施加高频和低频电力的电浆装置中产生的。5.根据申请专利范围第3项之方法,其中该NF@ss3气体是以0.5至5SLM的流速供应的。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第二次回火是在400至450℃的温度下进行的。图示简单说明:图1A至图1D的元件横剖面图,说明本发明在半导体元件中 |
