| 发明名称 |
Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU4556599(A) |
申请公布日期 |
1999.12.30 |
| 申请号 |
AU19990045565 |
申请日期 |
1999.06.09 |
| 申请人 |
NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY |
发明人 |
TSVETANKA ZHELEVA;DARREN B. THOMSON;SCOTT A. SMITH;KEVIN J. LINTHICUM;THOMAS GEHRKE;ROBERT F DAVIS |
| 分类号 |
C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205;H01S5/02 |
主分类号 |
C30B29/38 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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