| 主权项 |
1.一种形成螺栓导体层之方法,包含:提供一基材,该基材具有一开口及一上表面;形成一导体层于该基材上且填塞该开口;以及化学机械研磨该导体层以形成该螺栓导体层于该开口,且该螺栓导体层具有一上表面系低于该基材之上表面2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基材包含一垂直式记忆体元件,且该开口系暴露该垂直式记忆体元件之一部份。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该导体层之步骤包含沉积一多晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含以一100-200cm3/min之速率,提供一研磨液。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含一旋转台转速为20-100rpm。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含一顶环转速为20-140rpm。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含一顶环压力为20000-50000pa。8.一种形成一螺栓多晶矽层于一垂直式记忆体元件的方法,包含:提供一半导体基材;形成一垫介电层于该半导体基材上;形成一深沟渠于该半导体基材内;形成一沟渠式电容元件于该深沟渠之一较低部分;形成一闸极介电层于该深沟渠之一较高部分之一侧壁;沉积一多晶矽层于该垫介电层上,且填塞该深沟渠;以及化学机械研磨该多晶矽层以形成该螺栓多晶矽层于该深沟渠之较高部分,且该螺栓多晶矽层具有一上表面系低于该垫介电层之一上表面。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该形成垫介电层之步骤包含:利用选自于由氮化物、氧化物及其组合物所组成之族群之一材料,形成该垫介电层。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中沉积该多晶矽层之步骤包含以化学气相沉积技术形成该多晶矽层。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含以一100-200cm3/min之速率,提供一研磨液。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含一旋转台转速为20-100rpm。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含一顶环转速为20-140rpm。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该化学机械研磨步骤包含一顶环压力为20000-50000pa。图式简单说明:图1系习知螺栓导体层突出之剖面示意图;图2A系本发明第一实施例形成导体层之剖面示意图;图2B系图2A形成螺栓导体层之剖面示意图;图3A-3D系本发明第二实施例形成螺栓导体层于垂直式记忆体元件之剖面示意图;以及图4利用本发明形成螺栓导体层之SEM图。 |
