| 主权项 |
1.一种改善晶圆表面平坦度的方法,适用在一晶圆上以化学气相沉积法(chemical vapor deposition;CVD)沉积复数层的薄膜,包括:提供一晶圆;将该晶圆置入一第一薄膜沉积设备中,以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜,其中该第一薄膜沉积设备具有至少一第一反应气体注入口(injector),且该晶圆相对该第一反应气体注入口具有一第一方向;以及将该晶圆置入一第二薄膜沉积设备中,以化学气相沉积法沉积一第二层薄膜,其中该第二薄膜沉积设备具有至少一第二反应气体注入口(injector),而该第二反应气体注入口的数量与排列方式与该第一反应气体注入口的数量与排列方式大体相同,且该晶圆相对该第二反应气体注入口具有一第二方向,该第二方向与该第一方向具有一第一角度,使该第二反应气体注入口在该晶圆上的投影点与该第一反应气体注入口在该晶圆上的投影点不同。2.如申请专利范围第1项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该第一薄膜沉积设备系具有复数个以环状且均匀排列的该第一反应气体注入口。3.如申请专利范围第2项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该第一角度大体为A(360/(MN)),其中N系该些第一反应气体注入口的数量;M系预计在该晶圆上所沉积薄膜之层数之不为1之因数;A系不为0之整数且A不等于M以及M的倍数。4.如申请专利范围第2项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该第一角度大体为(360/(2N))的奇数倍,其中N系该些第一反应气体注入口的数量。5.如申请专利范围第2项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该些第一反应气体注入口的数量为8或12。6.如申请专利范围第1项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该晶圆在该第一薄膜沉积设备与该第二薄膜沉积设备的动线大体相同;而在该晶圆置入该第二薄膜沉积设备中之前更包含:提供一晶圆方向控制设备;以及使用该晶圆方向控制设备,将该晶圆旋转一第二角度,其中该第二角度大体等于该第一角度;其中该晶圆在沉积该第一薄膜之后与使用该晶圆方向控制设备旋转该晶圆之前,该晶圆的方向大体为该第一方向。7.如申请专利范围第1项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该些薄膜为介电质层。8.如申请专利范围第1项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该晶圆更包含一定位辨识设计。9.如申请专利范围第8项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该定位辨识设计为一缺口(notch)。10.一种改善晶圆表面平坦度的方法,适用在一晶圆上以化学气相沉积法(chemical vapor deposition;CVD)沉积复数层的薄膜,包括:提供一晶圆;将该晶圆置入一第一薄膜沉积设备中,以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜,其中该第一薄膜沉积设备系具有复数个以环状且均匀排列的第一反应气体注入口(injector),且该晶圆相对该些环状排列的第一反应气体注入口具有一第一方向;以及将该晶圆置入一第二薄膜沉积设备中,以化学气相沉积法沉积一第二层薄膜,其中该第二薄膜沉积设备系具有复数个以第二反应气体注入口(injector),该些第二反应气体注入口的数量与排列方式与该些第一反应气体注入口大体相同,而该晶圆相对该些环状排列的第二反应气体注入口具有一第二方向,该第一方向与该第二方向具有一第一角度,使该些第二反应气体注入口在该晶圆上的投影点与该些第一反应气体注入口在该晶圆上的投影点皆不同。11.如申请专利范围第10项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该晶圆在该第一薄膜沉积设备与该第二薄膜沉积设备的动线大体相同;而在该晶圆置入该第二薄膜沉积设备中之前更包含:提供一晶圆方向控制设备;以及使用该晶圆方向控制设备,将该晶圆旋转一第二角度,其中该第二角度大体等于该第一角度;其中该晶圆在沉积该第一薄膜之后与使用该晶圆方向控制设备旋转该晶圆之前,该晶圆的方向大体为该第一方向。12.如申请专利范围第10项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该第一角度大体为A(360/(MN)),其中N系该些第一反应气体注入口的数量;M系预计在该晶圆上所沉积薄膜之层数之不为1之因数;A系不为0之整数且A不等于M以及M的倍数。13.如申请专利范围第10项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该第一角度大体为(360/(2N))的奇数倍,其中N系该些第一反应气体注入口的数量。14.如申请专利范围第10项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该些第一反应气体注入口的数量为8或12。15.如申请专利范围第10项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该些薄膜为介电质层。16.如申请专利范围第10项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该晶圆具有一定位辨识设计。17.如申请专利范围第16项所述之改善晶圆表面平坦度的方法,其中该定位辨识设计为一缺口(notch)。图式简单说明:第1图为一俯视示意图,系显示传统在晶圆沉积复数层薄膜时,晶圆相对于薄膜沉积设备的固定方向。第2A~2B图为一系列之剖面图,系显示传统在晶圆沉积复数层薄膜时,因薄膜层的增加而使晶圆表面高低落差增加的问题。第3A~3D图为一系列之俯视示意图,系显示本发明较佳实施例之步骤。第4A~4D图为一系列之剖面图,系显示本发明较佳实施例之步骤与成效。 |
