发明名称 渐次式锡球熔接装置
摘要 本创作为有关一种渐次式锡球熔接装置,尤指于输送装置中装设渐次加工装置,俾对植球模组中之锡球进行渐次加温熔解,而使锡球熔接于晶片之接脚上;该熔接装置为于工作用之输送装置两端设有驱动轴,并于驱动轴上卷绕有输送带,且在输送带间形成容置室以供设置加工装置,再将植球模组置于输送带上,即藉由输送带运送植球模组行进位移,且分别经过输送带上形成之预热区、加热区、熔解区及冷却区,以使植球模组中之锡球熔解,并熔接于晶片之接脚上,再加施以降温冷却以完成锡球溶接之加工;而输送带上可重复置放多数植球模组,俾达到提升加工数量及速度之功效。
申请公布号 TWM249404 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW093200320 申请日期 2004.01.08
申请人 德迈科技有限公司 发明人 李宏祺
分类号 H05K3/34 主分类号 H05K3/34
代理机构 代理人 江明志 台北市大安区忠孝东路四段一四八号二楼之四
主权项 1.一种渐次式锡球熔接装置,其主要系于输送装置两端设有驱动轴,并于驱动轴上卷绕有输送带,而在卷绕之输送带间形成容置室,其特征在于:该输送带的容置室内为可设置有加工装置,且加工装置依其温度高低不同,而在输送带上形成预热区、加热区、熔解区及冷却区,俾使植球模组可置于输送带上,由输送带运送植球模组行进位移,并通过输送带上之预热区、加热区、熔解区及冷却区,以达到渐次加温后再施以降温冷却之功效。2.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该加工装置之预热区温度为介于0℃~150℃之间。3.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该加工装置之加热区温度为介于150℃~190℃之间。4.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该加工装置之熔解区温度为介于190℃~215℃之间。5.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该加工装置之冷却区温度为215℃~0℃之间。6.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该加工装置之加热源可为红外线灯管。7.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该加工装置之加热源可为导热线圈。8.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该加工装置之加热源可为热导管。9.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该输送装置于末端可设有冷却区。10.如申请专利范围第1项所述之渐次式锡球熔接装置,其中该植球模组为由基座、限位件、金属网板所构成,该基座内部为具有容置空间,容置空间底部为设有复数出风孔,而该容置空间中可供限位件及金属网板置入,且限位件中为具有限位孔,该金属网板上则设有复数锡球定位孔。图式简单说明:第一图 系为本创作之立体外观图。第二图 系为本创作之使用状态立体外观图。第三图 系为本创作之侧视剖面图。第三A图 系为第三图之A部份放大图。第三B图 系为第三A图锡球熔接放大图。第四图 系为本创作之植球模组立体分解图。第五图 系为本创作之实施方式立体外观图。第六图 系为本创作之实施方式侧视图。第七图 系为本创作之输送装置另一种实施例图。第八图 系为本创作之加温装置另一种实施例图。
地址 台北县汐止市环河街八十八巷三弄十五号