| 发明名称 | 半导体装置的电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种既能制成确保优良电特性和高电容量并除去了杂质的优良电介质膜，又能简化制造工序并节省了生产成本的半导体装置的电容器的制造方法。该方法由以下工序组成：在半导体晶片的下部构造物上形成下部电极；在上述下部电极的上部蒸镀非晶质TaON薄膜后，在NH<SUB>3</SUB>气氛中至少进行1次以上的退火工序，形成多层构造的TaON电介质膜；在上述多层构造的TaON电介质膜的上部形成上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1172361C | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN00137647.0 | 申请日期 | 2000.12.31 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 李起正;金东俊 |
| 分类号 | H01L21/70;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/70 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的电容器的制造方法，其特征是包含：在半导体晶片的下部构造物上形成下部电极的步骤；在上述下部电极的上部蒸镀非晶质TaON薄膜后，在含有氮或氧的气体气氛中至少进行1次退火工序，形成多层构造的TaON电介质膜的步骤；在上述TaON电介质膜的上部形成上部电极的步骤。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||