在连续多步抛光处理中防止晶片损伤的方法

摘要

用于在多阶段抛光操作中防止残余物在晶片表面上干燥的方法，该方法提高了晶片加工的生产量并延长了CMP操作中使用的抛光垫的使用寿命。该方法包括在晶片的第一抛光操作后检测第二抛光步骤中被抛光的晶片的抛光终点。终点检测终止在第一抛光操作中另一晶片的抛光并触发在第二抛光操作中先前晶片的过度抛光。在设定的周期后，在第二抛光操作中的先前晶片的过度抛光结束。最后，每个晶片移动到随后的加工操作，该操作可包括抛光操作或擦光操作。本发明的优点之一是，由于对于同一抛光垫总加工时间已增加，因此允许在台板垫进行更换之间抛光更大量的晶片，则在台板进行更换之间总的台板垫的使用得以最大化。

主权项

1.在连续多步抛光操作中防止残余物在晶片表面上干燥的一种方法，该方法包含：在第一晶片(114)的第一抛光操作后检测在第二抛光操作中被抛光的第一晶片(114)的抛光终点；终止第二晶片(110)在第一抛光操作中的抛光和过度抛光在第二抛光操作中的第一晶片；第一晶片(114)在第二抛光操作中的过度抛光终止；以及各晶片(114，110)移动到随后的晶片加工操作。