一种亚微米薄膜钪钨阴极及其制备方法

摘要

本发明公开了一种亚微米薄膜钪钨阴极的制备方法，包括将钨粉压制、烧结，得到阴极基体；将阴极基体浸渍活性物质钡钙铝化合物；将浸渍了活性物质的阴极基体装配到含热子的阴极支持筒中；用直流磁控溅射在阴极基体表面沉积亚微米钪钨薄膜，得到亚微米薄膜钪钨阴极。本发明制得的阴极的电流密度大，工作温度低，工作时间长，制造方法简单、可操作性强、重复性好。

主权项

一种亚微米薄膜钪钨阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将钨粉压制、烧结，得到阴极基体；2)将阴极基体浸渍活性物质钡钙铝化合物；3)将浸渍了活性物质的阴极基体装配到含热子的阴极支持筒中；4)用直流磁控溅射在阴极基体表面沉积亚微米钪钨薄膜；直流磁控溅射时，靶材的原料为溶胶凝胶法制得的亚微米尺度的氧化钪掺杂钨粉；采用阶梯加电压方式，先在溅射电压350‑450V保持4‑6分钟；再在溅射电压750‑850V保持4‑6分钟；最后在溅射电压1150‑1250V保持40‑60分钟，得到亚微米薄膜钪钨阴极。