| 主权项 |
1. 一种矽晶圆之制造方法,其特征为具备:切片矽单结晶棒来制作矽晶圆的切片过程,及同时地研削该矽晶圆之表背面的两面同时研削过程等。2. 如申请专利范围第1项所述之矽晶圆之制造方法,其中,在上述两面同时研削过程中,将矽晶圆夹夹在两面研削装置之上侧砥石下侧砥石之间,并同时地研削该矽晶圆之表背面时,在该矽晶圆之表背面全领域供应研削液者。3. 如申请专利范围第1项所述之矽晶圆之制造方法,其中,在上述两面同时研削过程中,控制矽晶圆之表背面温度者。4. 如申请专利范围第2项所述之矽晶圆之制造方法,其中,在上述两面同时研削过程中,控制矽晶圆之表背面温度者。5. 如申请专利范围第1项所述之矽晶圆之制造方法,其中,在上述两面同时研削过程后,在矽晶圆施以蚀刻而除去切削破坏,又,研磨该矽晶圆之两面者。6. 如申请专利范围第2项所述之矽晶圆之制造方法,其中,在上述两面同时研削过程后,在矽晶圆施以蚀刻而除去切削破坏,又,研磨该矽晶圆之两面者。7. 如申请专利范围第3项所述之矽晶圆之制造方法,其中,在上述两面同时研削过程后,在矽晶圆施以蚀刻而除去切削破坏,又,研磨该矽晶圆之两面者。8. 如申请专利范围第4项所述之矽晶圆之制造方法,其中,在上述两面同时研削过程后,在矽晶圆施以蚀刻而除去切削破坏,又,研磨该矽晶圆之两面者。9. 一种矽晶圆之制造装置,其特征为具备:在板状之上侧砥石与下侧砥石之间夹住矽晶圆而同时地研削矽晶圆之表背面的两面研削手段,及控制该两面研削时之矽晶圆之表背面温度的温度控制手段等。10. 如申请专利范围第9项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述温度控制手段系在以两面研削手段研削中之矽晶圆的表背面全领域藉供应研削液,来控制该温度者。11. 如申请专利范围第10项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述温度控制手段系由:由上述上侧砥石与上述下侧砥石之各内周面所划成的水盘,及从分别形成于上述上侧砥石与上述下侧砥石的各该研削面流出研削液所用的研削液通路,及在上述水盘及上述研削液通路供应研削液所用的研削液供应手段等所构成者。12. 如申请专利范围第9项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述两面研削手段,系由:以互相平行状态水平地配置,相对向之表面成为研削面,且在上述研削面分别研削上述矽晶圆之表背面的上侧砥石与下侧砥石,及在水平面内互相地相对运动上述上侧砥石与上述矽晶圆,而且在水平面内互相地相对运动上述下侧砥石与上述矽晶圆所用的相对运动手段,及将上述上侧砥石推压于载置于上述下侧砥石所用的推压手段等所构成。13. 如申请专利范围第10项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述两面研削手段,系由:以互相平行状态水平地配置,相对向之表面成为研削面,且在上述研削面分别研削上述矽晶圆之表背面的上侧砥石与下侧砥石,及在水平面内互相地相对运动上述上侧砥石与上述矽晶圆,而且在水平面内互相地相对运动上述下侧砥石与上述矽晶圆所用的相对运动手段,及将上述上侧砥石推压于载置于上述下侧砥石所用的推压手段等所构成。14. 如申请专利范围第11项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述两面研削手段,系由:以互相平行状态水平地配置,相对向之表面成为研削面,且在上述研削面分别研削上述矽晶圆之表背面的上侧砥石与下侧砥石,及在水平面内互相地相对运动上述上侧砥石与上述矽晶圆,而且在水平面内互相地相对运动上述下侧砥石与上述矽晶圆所用的相对运动手段,及将上述上侧砥石推压于载置于上述下侧砥石所用的推压手段等所构成。15. 如申请专利范围第9项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述矽晶圆系保持在具备外周齿的托架,另一方面,上述上侧砥石与上述下侧砥石系在各该中央部具备开口部;上述相对运动手段系由啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述开口部的太阳齿轮,及啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述上侧砥石与上述下侧砥石之外方,将上述托架在上述太阳齿轮之周围施以公转与自转所用的环状内周齿轮,及将上述太阳齿轮与上述环状太阳齿轮施以旋转所用的驱动机构等所构成。16. 如申请专利范围第10项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述矽晶圆系保持在备外周齿的托架,另一方面,上述上侧砥石与上述下侧砥石系在各该中央部具备开口部;上述相对运动手段系由啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述开口部的太阳齿轮,及啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述上侧砥石与上述下侧砥石之外方,将上述托架在上述太阳齿轮之周围施以公转与自转所用的环状内周齿轮,及将上述太阳齿轮与上述环状内周齿轮施以旋转所用的驱动机构等所构成。17. 如申请专利范围第11项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述矽晶圆系保持在备外周齿的托架,另一方面,上述上侧砥石与上述下侧砥石系在各该中央部具备开口部;上述相对运动手段系由啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述开口部的太阳齿轮,及啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述上侧砥石与上述下侧砥石之外方,将上述托架在上述太阳齿轮之周围施以公转与自转所用的环状内周齿轮,及将上述太阳齿轮与上述环状太阳齿轮施以旋转所用的驱动机构等所构成。18. 如申请专利范围第12项所述之矽晶圆之制造装置,其中,上述矽晶圆系保持在具备外周齿的托架,另一方面,上述上侧砥石与上述下侧砥石系在各该中央部具备开口部;上述相对运动手段系由啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述开口部的太阳齿轮,及啮合于上述托架之上述外周齿地设于上述上侧砥石与上述下侧砥石之外方,将上述托架在上述太阳齿轮之周围施以公转与自转所用的环状内周齿轮,及将上述太阳齿轮与上述环状太阳齿轮施以旋转所用的驱动机构等所构成。19. 如申请专利范围第9项所述之矽晶圆之制造装置,其中,具备夹住支撑上述托架之上述太阳齿轮侧之端部上下面所用的上下一对间隔件者。20. 如申请专利范围第10项所述之矽晶圆之制造装置,其中,具备夹住支撑上述托架之上述太阳齿轮侧之端部上下面所用的上下一对间隔件者。图示简单说明:第1图系表示本发明之一实施例的两面研削装置之上侧砥石位于上昇位置之状态的整体构成图。第2图系表示本发明之一实施例的两面研削装置之上侧砥石位于下降位置之状态的整体构成图。第3图系表示本发明之一实施例的两面研削装置之主要部分的斜视图,第4图系表示本发明之一实施例的两面研削装置之主要部分的平面图。第5图系表示本发明之一实施例的两面研削装置之主要部分的纵剖面图,第6图系表示上侧砥石的平面图。第7图系表示下侧砥石的平面图。第8A图至第8I图系表示说明提高矽晶圆之平坦度所用的图式。第9A图至第9B图系分别表示说明以往技术及本发明之制造过程所用的流程图。第10图系表示本发明之一实施例的两面研削之结果的图式。第11图系表示本发明之一实施例的两面研削之结果的图式。第12图系表示本发明之一实施例的两面研削之结果之表面状态的模式图。第13图系与表示以往的矽晶圆之表面状态之第5图同样的模式图。第14A图,第14B图及14C图系表示真空吸附矽晶圆而研削其一面时的晶圆之表面状态的模式图。 |
