| 主权项 |
1. 一种镜面磨光晶圆之周围部位之方法,包含:一第一磨光步骤,用于一卷带磨光晶圆的周围部位,该卷带上含研磨颗粒,及一第二磨光步骤,在第一步骤后使用含研磨材料之磨光棒磨光晶圆之周围部位。2. 如申请专利范围第1项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中第一磨光步骤包含一第一刻痕磨光步骤,此步骤系使用一其上含研磨颗粒的卷带磨光一在晶圆的周围部位形成的刻痕部位,及一第一周围磨光步骤,除了使用含研磨颗粒的刻痕部位外,此步骤主要系磨光晶圆的周围部位;且第二磨光步骤包含一第二刻痕磨光步骤,可使用一磨光棒磨光刻痕部位,及包含一第二周围磨光步骤,主要在于除使用一磨光棒磨光刻痕部位外,亦磨光晶圆的周围部位。3. 如申请专利范围第2项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中第一刻痕磨光步骤的执行方法为:由一卷带支撑组件压着其上含研磨颗粒之卷带的一部位,此部位可相对刻痕部位。4. 如申请专利范围第2项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中该晶圆在第一及第二刻痕磨光步骤中至少一步骤期间在一预定的小角度内绕其中心转动。5. 如申请专利范围第2项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中第一周围磨光步骤的执行方法为:压着其上含研磨颗粒之卷带的一部位,该部位绕着一转动鼓的周围,且可抵着晶圆的周围部位相对于晶圆的周围部位移动。6. 如申请专利范围第1项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中大致上绕着轴转动,该轴通过卷带的接触点及晶圆的周围部位,且在第一磨光步骤期间,在预定角度内,相对于晶圆,平行于晶圆的主表面。7. 如申请专利范围第2项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中该第一刻痕磨光步骤的执行方法为:当供应研磨材料时,压着一碟型磨光棒,使得抵着晶圆的刻痕部位。8. 如申请专利范围第1项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中第一磨光步骤包含第一定向平坦磨光步骤,可使用含研磨颗粒的卷带磨光在晶圆之周围部位上形成的定向平坦部位,及包含第一周围磨光步骤,除了使用含研磨颗粒的卷带磨光定向平坦部位外,尚磨光晶圆的周围部位;且第二磨光步骤包含第二定向平坦磨光步骤,用于使用一磨光棒磨光定向平坦部位,及包含第二周围磨光步骤,除了使用一磨光棒磨光定向平坦部位外,磨光晶圆的周围部位。9. 如申请专利范围第8项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中定向平坦磨光步骤的执行方法为:压着一圆柱形转动磨光棒使抵着定向平坦部位,该磨光棒含一形成去角凹槽,此凹槽可接收晶圆的定向平坦部位。10. 如申请专利范围第8项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中该第二周围磨光步骤的执行方法为:在圆柱磨光棒的内周围表面,压着周围转动磨光棒使抵着晶圆的周围部位,该磨光棒具有一成形之切角凹槽,该凹槽接收晶圆的周围部位。11. 如申请专利范围第1项之镜面磨光晶圆之周围部位之方法,其中该晶圆为矽单晶晶圆,且在第一磨光步骤之前,对含一去角周围的晶圆执行硷性蚀刻。12. 一种用于镜面磨光晶圆之周围部位之装置,包含:一第一磨光区,用于一卷带磨光晶圆的周围部位,该卷带上含研磨颗粒,及一第二磨光区,在第一步骤后使用含研磨材料之磨光棒磨光晶圆之周围部位。13. 如申请专利范围第12项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中第一磨光区包含一第一刻痕磨光部,此部系使用一其上含研磨颗粒的卷带磨光一在晶圆的周围部位形成的刻痕部位,及一第一周围磨光部,除了使用含研磨颗粒的刻痕部位外,此部主要系磨光晶圆的周围部位;且第二磨光部包含一第二刻痕磨光部,可使用一磨光棒磨光刻痕部位,及包含一第二周围磨光部,主要在于除使用一磨光棒磨光刻痕部位外,亦磨光晶圆的周围部位。14.如申请专利范围第12项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第一磨光区包含第一晶圆定位部,用于逐一定位晶圆,此晶圆从一含多个晶圆的容器中取出。15. 如申请专利范围第13项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第一刻痕磨光部包含一转动鼓,一含研磨颗粒的卷带绕着该转动鼓,以使其在卷带的周围方向中移动,及一卷带支撑组件,用于夹持其上之卷带的一部份,且压住卷带之夹持部位抵着晶圆的刻痕部位。16. 如申请专利范围第13项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中当该晶圆为第一及第二刻痕磨光部位中至少一部位磨光时,在一预定小角度内绕中心转动。17.如申请专利范围第13项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第一周围磨光部包含一转动鼓,包含研磨颗粒之卷带绕着转动周围,以在周围方向中向卷带移动。18. 如申请专利范围第12项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第一磨光区更包含一机构,使得该卷带可在一预定角度内大致上绕着一轴转动,该轴通过卷带的接触点及晶圆的周围部位,且与晶圆的主表面平行。19.如申请专利范围第12项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第二刻痕磨光部包含一机构,当供应一研磨材料时,用于压着一碟形磨光棒使其抵着晶圆的刻痕部位。20. 如申请专利范围第12项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第一磨光区包含第一定向平坦磨光部用于使用一其中有研磨颗粒之卷带磨光在晶圆的周围部位形成的定向平坦部位,及一第一周围磨光部,除由卷绕一其上含研磨颗粒的卷带磨光定向平坦部位外,主要用于磨光晶圆的周围部位;且第二磨光部包含一第二定向平坦磨光部,其使用一磨光棒部定向平坦部位,及一第二周围磨光部,除了使用磨光棒磨光定向平坦部位外,主要在于磨光晶圆的周围部位。21. 如申请专利范围第20项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中第二周围磨光部包含一机构位在压着一圆柱形转动磨光棒使抵着定向平坦部位,该磨光棒含一形成去角凹槽,此凹槽可接收晶圆的定向平坦部位。22. 如申请专利范围第12项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第二周围磨光部包含一机构位在圆柱磨光棒的内周围表面,压着周围转动磨光棒使抵着晶圆的周围部位,该磨光棒具有一成形之切角凹槽,该凹槽接收晶圆的周围部位。23. 如申请专利范围第12项之镜面磨光晶圆之周围部位之装置,其中该第一磨光区包含第一刻痕磨光部,其使用一其上含研磨颗粒的卷带部一在晶圆的周围部位上形成的刻痕部位,一第一定向平坦磨光部,其使用一其上含研磨颗粒的卷带,部在晶圆的周围部位上形成的定向平坦部位,及一第一周围磨光部,除了使用一其上含研磨颗粒的卷带磨光定向平坦部位外,主要用于磨光晶圆的周围部位;且第二磨光部包含一第二刻痕磨光部,其使用一磨光棒部刻痕部位,一第二定向平坦磨光部,其使用一磨光棒磨光定向平坦部位,及一第二周围磨光部,除了使用一磨光棒部定向平坦部位外,主要用于磨光晶圆的周围部。图示简单说明:图1示本发明中卷带磨光及磨光棒磨光之两种磨光方法下,平坦度与磨光时间之间的关系。图2为本发明之一实施例的镜面磨光装置之平面图;图3为含刻痕部位之晶圆的平面图;图4为含一定向平坦之晶圆的平面图;图5为在实施例中卷带磨光区之载入器之侧视图;图6为依据本发明之实施例磨光装置中晶圆传送装置之部位的透视图;图7为实施例中卷带磨光区刻痕磨光部的透视图;图8为卷带磨光区中一定向平坦磨光部或一周围磨光部之透视图;图9为实施例中磨光棒磨光区之定向平坦磨光部的侧视图;图10为实施例中磨光棒磨光区周围磨光部的透视图; |
