| 主权项 |
1. 一种气相成长装置,系在反应室之内部以晶圆保持体支持晶圆,并在由上述晶圆保持体所支持之晶圆的下方设置加热器,而在加热状态下于晶圆表面进行气相成长;其特征系在:设有将上述加热器之至少朝下的热予以反射之反射板,上述反射板系由玻璃状碳所形成者。2. 根据申请专利范围第1项之气相成长装置,其中该反射板之表面中,至少朝向上述加热器之部份的表面,具有Ra0.001-0.05(之表面粗糙度者。3. 根据申请专利范围第1项之气相成长装置,其中该加热器系可急速加热至1000℃以上之高温者。4. 根据申请专利范围第1项之气相成长装置,其中该玻璃状碳,其容积密度系1.50-1.60g/cm@su3,抗弯强度系100MPa以上者。5. 根据申请专利范围第1项之气相成长装置,其中该反射板系由圆板状之底部及圆筒状之侧部所构成,在由此等部份所形成之圆筒空间内,系配置有上述加热器者。图示简单说明: |
