| 主权项 |
1.一种具有电容器的半导体记忆体元件之制造方法,其中该半导体记忆体元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器电性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:a.在该基底上形成一第一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;b.形成一柱状导电层,穿过至少该第一绝缘层,与该转移电晶体的该汲极和源极区之一电性耦接;c.在该柱状导电层表面和该第一绝缘层上,形成一第一导电层;d.去除该第一导电层位在该柱状导电层上方的部份;e.形成一第二导电层,电性耦接到该柱状导电层、以及该第一导电层;f.定义该第一和第二导电层,以形成该储存电容器的一储存电极,该储存电极包括该第一和第二导电层、以及柱状导电层;g.在该第一和第二导电层曝露出的表面上,形成一介电层;以及h.在该介电层的一表面上,形成一第三导电层以构成该储存电容器的一相对电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中在该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;以及定义该厚复晶矽层,以形成该柱状导电层。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;在该厚复晶矽层上形成一光阻,覆盖住对应该转移电晶体的该汲极和源极区之一的区域;蚀刻掉未被覆盖住的厚复晶矽层之一部份;浸蚀该光阻,再露出一部份厚复昌矽层;蚀刻掉残留的复晶矽层及露出的厚复晶矽层之一部份,使形成的该柱状导电层具有一阶梯状;以及去光阻。5.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成具有似T形剖面的一第一复晶矽层,其底部电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成具有一窗口的一第二绝缘层,经由该窗口露出该第一复晶矽层的一部份上表面;以及形成一柱状复晶矽层,其底部电性耦接到该第一复晶矽层的上表面,且两者一起构成该柱状导电层。6.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中在步骤b之后和步骤c之前,更包括在该柱状导电层的侧壁上形成一绝缘边墙之步骤;且其中该步骤c包括在该绝缘边墙、柱状导电层、和该蚀刻保护层的表面上,形成该第一导电层的步骤。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括下列步骤:形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上,以及形成一第二绝缘层在该蚀刻保护层上;且其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该第二绝缘层、蚀刻保护层、和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;以及定义该厚复晶矽层,以形成该柱状导电层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括形成一第二绝缘层在该第一导电层之上的步骤;其中该步骤d包括以化学械式研磨法,研磨该第二绝缘层和第一导电层,使该第一导电层位于该柱状导电层上方的部份被去除掉;且其中在步骤f之后和步骤g之前,更包括去除该第二绝缘层的步骤。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该第二导电层包括一中央部份电性耦接到该柱状导电层、以及一向外延伸部分从该中央部份往外延伸出,且电性耦接到该第一导电层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括形成一第二绝缘层在该第一导电层之上的步骤;其中该步骤d包括蚀刻该第二绝缘层和第一导电层,使该第二绝缘层和第一导电层位于该柱状导电层上方的部份被去除掉;且其中在步骤f之后和步骤g之前,更包括去除该第二绝缘层的步骤。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该第二导电层具有一似T形的剖面。12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中该第二导电层具有一中空筒形的剖面。13.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括下列步骤:在该第一导电层上,交互形成第一和第二膜层至少一次,该第二膜层系由导电材料制成,而该第一膜层系由绝缘材料制成,以及在该第二膜层上形成一第二绝缘层;其中该步骤d更包括下列步骤:去除该第二绝缘层、以及第二和第一膜层位在该柱状导电层上方的部份;其中该步骤e更包括下列步骤:形成该第二导电层,电性耦接到该第二膜层;其中该步骤f更包括下列步骤:定义该第二膜层,以形成为该储存电容器的该储存电极之一部份;其中在步骤f之后和步骤g之前,更包括去除该第二绝缘层和第一膜层的步骤;且其中该步骤g更包括下列步骤:在该第二膜层曝露出的表面上,形成该介电层。14.一种具有电容器的半导体记忆体元件之制造方法,其中该半导体记忆体元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器电性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:a.在该基底上形成一第一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;b.形成一柱状导电层,穿过至少该第一绝缘层,与该转移电晶体的该汲极和源极区之一电性耦接;c.在该柱状导电层表面和该第一绝缘层上,形成一第一导电层;d.形成一第二导电层,电性耦接到该第一导电层位在该柱状导电层上方的部份;e.定义该第一和第二导电层,以形成该储存电容器的一储存电极,该储存电极包括该第一和第二导电层、以及柱状导电层;f.在该第一和第二导电层曝露出的表面上,形成一介电层;以及g.在该介电层的一表面上,形成一第三导电层以构成该储存电容器的一相对电极。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤。16.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;以及定义该厚复晶矽层,以形成该柱状导电层。17.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;在该厚复晶矽层上形成一光阻,覆盖住对应该转移电晶体的该汲极和源极区之一的区域;蚀刻掉未被覆盖住的厚复晶矽层之一部份;浸蚀该光阻,再露出一部份厚复昌矽层;蚀刻掉残留的复晶矽层及露出的厚复晶矽层之一部份,使形成的该柱状导电层具有一阶梯状;以及去光阻。18.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成具有似T形剖面的一第一复晶矽层,其底部电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成具有一窗口的一第二绝缘层,经由该窗口露出该第一复晶矽层的一部份上表面;以及形成一柱状复晶矽层,其底部电性耦接到该第一复晶矽层的上表面,且两者一起构成该柱状导电层。19.如申请专利范围第15项所述之制造方法,其中在步骤b之后和步骤c之前,更包括在该柱状导电层的侧壁上形成一绝缘边墙之步骤;且其中该步骤c包括在该绝缘边墙、柱状导电层、和该蚀刻保护层的表面上,形成该第一导电层的步骤。20.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括下列步骤:形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上,以及形成一第二绝缘层在该蚀刻保护层上;且其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该第二绝缘层、蚀刻保护层、和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;以及定义该厚复晶矽层,以形成该柱状导电层。21.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括下列步骤:形成一第二绝缘层在该第一导电层之上;以及以化学机械式研磨法,研磨该第二绝缘层,使该第一导电层位于该柱状导电层上方的部份露出;且其中在步骤e之后和步骤f之前,更包括去除该第二绝缘层的步骤。22.如申请专利范围第21项所述之制造方法,其中该第二导电层包括一中央部份电性耦接到该第一导电层位在该柱状导电层上方的部份、以及一向外延伸部份从该中央部份往外延伸出。23.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括下列步骤:形成一第二绝缘层在该第一导电层之上,以及蚀刻该第二绝缘层,使该第一导电层位于该柱状导电层上方的部份露出;且其中在步骤e之后和步骤f之前,更包括去除该第二绝缘层的步骤。24.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该第二导电层具有一似T形的剖面。25.如申请专利范围第23项所述之制造方法,其中该第二导电层具有一中空筒形的剖面。26.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括下列步骤:在该第一导电层上,交互形成第一和第二膜层至少一次,该第二膜层系由导电材料制成,而该第一膜层系由绝缘材料制成,在该第二膜层上形成一第二绝缘层,以及至少去除该第二绝缘层、以及第二和第一膜层位在该柱状导电层上方的部份,以露出该第一导电层位于该柱状导电层上方的部份;其中该步骤d更包括下列步骤:形成该第二导电层,电性耦接到该第二膜层;其中该步骤e更包括下列步骤:定义该第二膜层,以形成为该储存电容器的该储存电极之一部份;其中在步骤e之后和步骤f之前,更包括去除该第二绝缘层和第一膜层的步骤;且其中该步骤f更包括下列步骤:在该第二膜层曝露出的表面上,形成该介电层。27.一种具有电容器的半导体记忆体元件之制造方法,其中该半导体记忆体元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器电性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:a.在该基底上形成一第一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;b.形成一柱状导电层,穿过至少该第一绝缘层,与该转移电晶体的该汲极和源极区之一电性耦接;c.在该柱状导电层表面和该第一绝缘层上,交替形成第一和第二膜层至少一次,该第一膜层系由绝缘材料制成,而该第二膜层系由导电材料制成;d.去除该第一和第二膜层位在该柱状导电层上方的部份;e.形成一第一导电层,电性耦接到该柱状导电层、以及该第二膜层;f.定义该第二膜层和第一导电层,以形成该储存电容器的一储存电极,该储存电极包括该第一导电层、第二膜层、以及柱状导电层;g.去除该第一膜层;h.在该第一导电层、第二膜层、以及柱状导电层曝露出的表面上,形成一介电层;以及i.在该介电层的一表面上,形成一第二导电层以构成该储存电容器的一相对电极。28.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤。29.如申请专利范围第28项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;以及定义该厚复晶矽层,以形成该柱状导电层。29.如申请专利范围第28项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成一厚复晶矽层;在该厚复晶矽层上以形成一光阻,覆盖住对应该转移电晶体的该汲极和源极区之一的区域;蚀刻掉未被覆盖住的厚复晶矽层之一部份;浸蚀该光阻,再露出一部份厚复晶矽层;蚀刻掉残留的复晶矽层及露出的厚复晶矽层之一部份,使形成的该柱状导电层具有一阶梯状;以及去光阻。31.如申请专利范围第28项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:形成一储存电极接触窗,穿过该蚀刻保护层和第一绝缘层而通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成具有似T形剖面的一第一复晶矽层,其底部电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一;形成具有一窗口的一第二绝缘层,经由该窗口露出该第一复晶矽层的一部份上表面;以及形成一柱状复晶矽层,其底部电性耦接到该第一复晶矽层的上表面,且两者一起构成该柱状导电层。32.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括形成一第二绝缘层在该第二膜层之上的步骤;其中该步骤d包括以化学机械式研磨法,研磨该第二绝缘层、第二膜层、和第一膜层,使该柱状导电层上方的部份露出;且其中该步骤g更包括去除该第二绝缘层的步骤。33.如申请专利范围第32项所述之制造方法,其中该第一导电层包括一中央部份电性耦接到该柱状导电层、以及一向外延伸部份从该中央部份往外延伸出,且电性耦接到该第二膜层。34.如申请专利范围第27项所述之制造方法,其中在步骤c之后和步骤d之前,更包括形成一第二绝缘层在该第二膜层之上的步骤;其中该步骤d包括蚀刻该第二绝缘层、第二膜层、和一膜层,使该柱状导电层上方的部份露出;且其中该步骤g更包括去除该第二绝缘层的步骤。35.如申请专利范围第34项所述之制造方法,其中该第一导电层具有一似T形的剖面。36.如申请专利范围第34项所述之制造方法,其中该第一导电层具有一中空筒形的剖面。37.一种具有电容器的半导体记忆元件之制造方法,其中该半导体记忆体元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器电性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:a.在该基底上形成一第一层,覆盖住该转移电晶体;b.在该第一绝缘层上,对应该转移电晶体的该汲极和源极之一的一区域,形成一柱状绝缘层;c.在该柱状绝缘层表面和该第一绝缘层上,形成一第一导电层;d.形成一第二导电层,穿过至少该第一导电层、柱状绝缘层、和第一绝缘层,与该转移电晶体的该汲极和源极之一电性耦接,该第一和第二导电层构成该储存电容器的一储存电极;e.去除该柱状绝缘层;f.在该第一和第二导电层曝露出的表面上,形成一介电层;以及g.在该介电层的一表面上,形成一第三导电层以构成该储存电容器的一相对电极。38.如申请专利范围第37项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤。39.如申请专利范围第38项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:在该蚀刻保护上形成一厚绝缘层;在该厚绝缘层上以形成一光阻,至少覆盖住对应该转移电晶体的该汲极和源极区之一的该区域;蚀刻掉未被覆盖住的厚绝缘层之一部份;浸蚀该光阻,再露出一部份厚绝缘层;蚀刻掉残留的绝缘层及露出的厚绝缘层之一部份,使形成的该柱状绝缘层具有一阶梯状;以及去光阻。40.如申请专利范围第38项所述之制造方法,其中该步骤d包括下列步骤:在该第一导电层上形成一第二绝缘层,形成一储存电极接触窗,穿过该第二绝缘层、第一导电层、柱状绝缘层、蚀刻保护层、和第一绝缘层,通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一,以及形成该第二导电层在该储存电极接触窗中;且其中该步骤e更包括去除该第二绝缘层的步骤。41.如申请专利范围第40项所述之制造方法,其中该第二导电层具有一似T形的剖面。42.如申请专利范围第40项所述之制造方法,其中该第二导电层具有一似U形的剖面。43.一种具有电容器的半导体记忆元件之制造方法,其中该半导体记忆体元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器电性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:a.在该基底上形成一第一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;b.在该第一绝缘层上,对应该转移电晶体的该汲极和源极之一的一区域,形成一柱状绝缘层;c.在该柱状绝缘层表面和该第一绝缘层上,交替形成第一和第二膜层至少一次,该第一膜层系由绝缘材料制成,该第二膜层系由导电材料制成;d.形成一第一导电层,穿过至少该第二和第一膜层、柱状绝缘层、和第一绝缘层、与该转移电晶体的该汲极和源极之一电性耦接,该第二膜层和第一导电层构成该储存电容器的一储存电极;e.去除该柱状绝缘层和第一膜层;f.在该第二膜层和第一导电层曝露出的表面上,形成一介电层;以及g.在该介电层的一表面上,形成一第二导电层以构成该储存电容器的一相对电极。44.如申请专利范围第43项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤。45.如申请专利范围第44项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:在该蚀刻保护层上形成一厚绝缘层;在该厚绝缘层上以形成一光阻,至少覆盖住对应该转移电晶体的该汲极和源极区之一的该区域;蚀刻掉未被覆盖住的厚绝缘层之一部份;浸蚀该光阻,再露出一部份厚绝缘层;蚀刻掉残留的绝缘层及露出的厚绝缘层之一部份,使形成的该柱状绝缘层具有一阶梯状;以及去光阻。46.如申请专利范围第44项所述之制造方法,其中该步骤b包括下列步骤:在该第二膜层上形成一第二绝缘层,形成一储存电极接触窗,穿过该第二绝缘层、第二和第一膜层、柱状绝缘层、蚀刻保护层、和第一绝缘层,通到该转移电晶体的该汲极和源极区之一,以及形成该第二导电层在该储存电极接触窗中;且其中该步骤e更包括去除该第二绝缘层的步骤。47.如申请专利范围第46项所述之制造方法,其中该第一导电层具有一似T形的剖面。48.如申请专利范围第46项所述之制造方法,其中该第一导电层具有一似U形的剖面。49.一种具有电容器的半导体记忆元件之制造方法,其中该半导体记忆体元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器电性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:在该基底上形成一第一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;形成一类树干状导电层,具有一底部,电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一上,该类树干状导电层又具有一向上延伸部,以一大致向上的方向,从该底部延伸出;形成一类树枝状的上导电层,电性耦接在该类树干状导电层上方;形成至少一类树枝状的下导电层,具有一似L形的剖面,该类树枝状的下导电层连接到该类树枝状的上导电层之下表面上,该类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层构成该储存电容器的一储存电极;在该类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层曝露出的表面上,形成一介电层;以及在该介电层上形成一上导电层,以构成该储存电容器的一相对电极。50.一种具有电容器的半导体记忆体元件之制造方法,其中该半导体记忆元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:在该基底上形成一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;形成一类树干状导电层,具有一底部,电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一上,该类树干状导电层又具有一向上延伸部,以一大致向上的方向,从该底部延伸出;形成一类树枝状的上导电层,电性耦接在该类树干状导电层上方;形成至少一类树枝状的下导电层,包括至少一第一延伸段和一第二延伸段,该第一延伸段的末端连接到该类树状的上导电层之下表面上,该第二延伸段以一角度,从该第一延伸段的另一末端延伸出,该类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层构成该储存电容器的一储存电极;在该类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层曝露出的表面上,形成一介电层;以及形成一上导电层在该介电层上,以构成该储存电容器的一相对电极。51.一种具有电容器的半导体记忆体元件之制造方法,其中该半导体记忆元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:在该基底上形成一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;形成一类树干状导电层,具有一底部,电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一上,该类树干状导电层又具有一柱形延伸部,以一大致向上的方向,从该底部延伸出;形成一类树枝状的上导电层,电性耦接在该类树干状导电层上方;形成至少一类树枝状的下导电层,具有一末端连接到该类树枝状的上导电层之下表面上,该类树状的下导电层又具有一向外延伸部,从该末端往外延伸出,该类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层构成该储存电容器的一储存电极;形成一介电层在该类树干状导电层、类树枝状的上导电层、和类树枝状的下导电层曝露出的表面上;以及形成一上导电层在该介电层上,以构成该储存电容器的一相对电极。52.一种具有电容器的半导体记忆体元件之制造方法,其中该半导体记忆元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器性耦接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:在该基底上形成一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;形成一类树干状导电层,具有一底部,电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一上,该类树干状导电层又具有一向上延伸部,以一大致向上的方向,从该底部延伸出;形成至少一类树枝状的下导电层,包括至少一第一延伸段、一第二延伸段、和一第三延伸段,该第一延伸段连接到该类树干状导电层之外表面上,该第二延伸段以一第一角度,从该第一延伸段延伸出,该第三延伸段则以一第二角度,从该第二延伸段延伸出,该类树干状导电层和类树枝状的导电层构成该储存电容器的一储存电极;形成一介电层在该类树干状导电层和类树枝状导电层曝露出的表面上;以及形成一上导电层在该介电层上,以构成该储存电容器的一相对电极。图示简单说明:第1图是一DRAM元件的一记忆单元之电路示意图。第2A至2G图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第一较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第一较佳实施例。第3A至3D图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第二较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第二较佳实施例。第4A至4C图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第三较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第三较佳实施例。第5A至5C图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第四较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第四较佳实施例。第6A至6D图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第五较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第五较佳实施例。第7A至7E图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第六较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第六较佳实施例。第8A至8E图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第七较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第七较佳实施例。第9A至9B图系剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第八较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第八较佳实施例。第10A至10E图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第九较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第九较佳实施例。第11A至11B图系剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第十较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第十较佳实施例。第12A至12C图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第十一较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第十一较佳实施例。第13A至13B图系剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第十二较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第十二较佳实施例。 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