| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有SGI构造的半导体元件中,在假定元件形成区域的宽度(有源区宽度)为D(微米),SGI的沟氧化量为T(微米)和沟的下端部分的曲率半径为R时,对D、T、R进行选择使得它们满足D<0.4<SUP>(-100R+7)－1</SUP>(－230T+14.5),其中,T大于0.01(微米)的关系而构成的半导体元件,具有减轻在沟下端部分的硅衬底上发生的应力,不产生异常的漏泄电流的优良的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1230776A | 申请公布日期 | 1999.10.06 |
| 申请号 | CN99104394.4 | 申请日期 | 1999.03.26 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 石冢典男;三浦英生;池田修二;吉田安子 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种在半导体衬底的一个主面上具备多个元件形成区域和元件隔离区域的半导体元件，其特征是：上述元件隔离区域具有设于上述半导体衬底上的沟，使该沟进行热氧化在沟的内壁上形成的热氧化层和埋入到上述沟内的绝缘物层，上述元件形成区域的宽度(有源区宽度)D(微米)和上述沟的热氧化量T(微米)和上述沟的下端部分的曲率半径R之间的关系，满足下式(1)：D＜0.4(-100R+7)-1(-230T+14.5)…………(1)其中，T大于0.01(微米)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||