| 发明名称 | 多阶快闪存储器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开一种多阶快闪存储单元及其制造方法,该存储单元包括:一p型硅基底;一深n井,位于该p型硅基底中;一p井,位于该深n井中;一第一绝缘层,位于该p井表面上;三个浮置栅极,彼此邻近但隔绝,且位于该第一绝缘层上;一源极区和一漏极区,位于该p井中,且分别位于该三个浮置栅极的两侧;一第二绝缘介电层,位于该三个浮置栅极、该源极区、以及该漏极区上;以及一控制栅极,位于该第二绝缘介电层表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN1230786A | 申请公布日期 | 1999.10.06 |
| 申请号 | CN98115024.1 | 申请日期 | 1998.06.22 |
| 申请人 | 世大积体电路股份有限公司 | 发明人 | 王琳松 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/82;H01L21/8232 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1．一种多阶快闪存储单元，包括：一p型硅基底；一深n井，位于该p型硅基底中；一p井，位于该深n井中；一第一绝缘层，位于该p井表面上；三个浮置栅极，彼此邻近但隔绝，且位于该第一绝缘层上；一源极区和一漏极区，位于该p井中，且分别位于该三个浮置栅极的两侧；一第二绝缘介电层，位于该三个浮置栅极、该源极区、以及该漏极区上；以及一控制栅极，位于该第二绝缘介电层表面上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||