| 发明名称 | 半导体层制造方法和制造设备、光生伏打电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m<SUP>2</SUP>至10A/m<SUP>2</SUP>的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。 | ||
| 申请公布号 | CN1244031A | 申请公布日期 | 2000.02.09 |
| 申请号 | CN99111914.2 | 申请日期 | 1999.07.30 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 藤冈靖;冈部正太郎;金井正博;凭井明;泽山忠志;幸田勇藏;矢岛孝博 |
| 分类号 | H01L21/205;C23C16/50;H01L31/04 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体层的方法，将原料气体导入放电室中，对该放电室施加高频功率以通过放电分解原料气体，从而在放电室中的衬底上形成半导体层，该方法包括下列步骤：提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率；对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还对该放电室施加VHF高频功率；和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量，使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||