| 发明名称 | 浅沟隔离的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种浅沟隔离的制造方法。在氮化硅膜上沉积一特定厚度的不同吸收系数的SiON，包含以下步骤：(a)于硅基板上沉积垫氧化硅膜/氮化硅膜作蚀刻的硬罩；(b)于氮化硅膜上先沉积一层高吸收系数的氮氧化硅层，再沉积一层低吸收系数的氮氧化硅层作抗反射层；(c)以浅沟槽图案的光罩曝光及显影光阻以形成浅沟槽的蚀刻罩幕；(d)蚀刻氮氧化硅、氮化硅、垫氧化层及硅基底，形成浅沟槽：(e)在浅沟槽侧壁及底部成长氧化层以除去损伤，减少漏电；(f)在浅沟槽内及氮氧化硅上沉积氧化硅层以填满沟槽；(g)以化学机械研磨使之平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN1531056A | 申请公布日期 | 2004.09.22 |
| 申请号 | CN03119179.7 | 申请日期 | 2003.03.13 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 林平伟;郭国权;姜兆声 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种浅沟隔离的制造方法，其特征是，至少包含下列步骤：(a)于硅基板上沉积垫氧化硅膜/氮化硅膜作蚀刻的硬罩；(b)于氮化硅膜上先沉积一层高吸收系数的氮氧化硅层，再沉积一层低吸收系数的氮氧化硅层作抗反射层；(c)以浅沟槽图案的光罩曝光及显影光阻以形成浅沟槽的蚀刻罩幕；(d)蚀刻氮氧化硅、氮化硅、垫氧化层及硅基底，形成浅沟槽；(e)在浅沟槽侧壁及底部成长氧化层以除去损伤，减少漏电；(f)在浅沟槽内及氮氧化硅上沉积氧化硅层以填满沟槽；(g)以化学机械研磨使之平坦化。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区研新一路16号 | ||