| 主权项 |
1.一种处理半导体晶元的方法,其包含如下之步骤:(a)将一具有通式Six(OH)或SixH(OH)z之液态短链聚合物予以沈积在晶元上以形成一大致呈平面的薄层,以及(b)在该聚合物层之表面上沉积一扩散层以容许湿气以一经控制的速率自该聚合物中释出。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该扩散层系作为一可透性薄膜。3.如申请专利范围第1或第2项的方法,其中该扩散层系在-20℃至60℃之间被沉积。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该扩散层系在0℃左右下被沉积。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该扩散层系藉由电浆增强性化学蒸气沉积法予以沉积。6.如前述申请专利范围第1项之方法,其中该扩散层系为500A厚之等级者。7.如申请专利范围第1项之方法,其更进一步包含一初步的加热阶段。8.如申请专利范围第1或7项之方法,其中该薄层接而被覆盖以一盖覆层,继而将该晶元烘烤之。9.如申请专利范围第8项之方法,其中在该聚合物层的沉积之前,先有一底层或晶种层之沉积。10.如申请专利范围第9项之方法,其系在两个反应室内实施,一个是用于聚合物层与扩散层之沉积的〝冷〞反应室,而另一个是用于底层与盖覆层之沉积的〝热〞反应室。11.如申请专利范围第1项的方法,其进一步包含在底层已被沉积后,以一含有N2O、O2及O2之气态电浆来处理该晶元。12.一种处理半导体晶元的方法,其包含如下之步骤:(a)将晶元放置在一反应室内,将含矽之气体或蒸气及一呈蒸气态之含过氧化物键结的化合物导入该反应室内,令该化合物与该含矽之气体或蒸气起反应而生成一短链聚合物并使该聚合物凝结在该晶元上以形成一大致呈平面的薄层,以及(b)在该聚合物层之表面上沉积一扩散层以容许湿气以一经控制的速率自该聚合物中释出。13.如申请专利范围第12项的方法,其中该扩散层系作为一可透性薄膜。14.如申请专利范围第12或第13项的方法,其中该扩散层系在-20℃至60℃之间被沉积。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该扩散层系在0℃左右下被沉积。16.如申请专利范围第12项之方法,其中该扩散层系藉由电浆增强性化学蒸气沉积法予以沉积。17.如前述申请专利范围第12项之方法,其中该扩散层系为500A厚之等级者。18.如申请专利范围第12项之方法,其更进一步包含一初步的加热阶段。19.如申请专利范围第12或18项之方法,其中该薄层接而被覆盖以一盖覆层,继而将该晶元烘烤之。20.如申请专利范围第19项之方法,其中在该聚合物层的沉积之前,先有一底层或晶种层之沉积。21.如申请专利范围第20项之方法,其系在两个反应室内实施,一个是用于聚合物层与扩散层之沉积的〝冷〞反应室,而另一个是用于底层与盖覆层之沉积〝热〞反应室。22.如申请专利范围第12项的方法,其进一步包含在底层已被沉积后,以一含有N2O、O2及O2之气态电浆来处理该晶元。图示简单说明:第一图至四图略示除扩散层之外的平面化方法的步骤。 |
